技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
半导体制造中的未掺杂硅酸盐玻璃（USG）：原理、机械可靠性与工艺集成
引言 未掺杂硅玻璃（USG）是现代半导体制造中最基础的薄膜介电材料之一 T1。其本质是一种高纯度非晶二氧化硅（SiO₂）薄膜，在沉积过程中不刻意引入硼或磷等掺杂剂 T1, A1。与硼磷硅玻璃（BPSG）或磷硅玻璃（PSG）等通过人为引入杂质以降低热回流温度或吸除移动离子污染物的掺杂玻璃相比，USG 保持了化学纯度和结构
Plasma Enhanced Oxide (PEOX): Principles, Chemical Mechanisms, and Advanced Node Integration
Introduction In the field of semiconductor fabrication, silicon dioxide (SiO2) serves as the primary insulating and passivating material across all operational
Demystifying the Reset Transistor (RST): Physics, Process Integration, and Advanced Node Challenges
Introduction The reset transistor (RST) is a foundational element in modern integrated circuit design, playing a crucial role in both optical sensing and advanc
先进半导体工艺中氮氧化硅的基本原理
简介 氮氧化硅（Silicon oxynitride），化学式表示为 $SiO_xN_y$，通常简称为 SiON，是一种非化学计量比的介电材料，在集成电路（IC）器件的微缩和性能提升中发挥了关键作用 P2, P4。从基本原理上讲，SiON 是纯二氧化硅 ($SiO_2$) 与氮化硅 ($Si_3N_4$) 之间的一种组
先进光刻中底部抗反射涂层 (BARC) 的深度解析：物理原理、集成与演进
引言 在现代半导体制造中，为减小关键尺寸 (CD) 并提高单位面积的晶体管密度，亚波长光刻技术已成为必然选择 P3。随着特征尺寸缩小至远低于曝光光源波长的水平，光反射、薄膜干涉和衍射等光学现象会严重降低图形化保真度 P1, P3。在光刻过程中，穿过光刻胶的光线会与下方高反射率的衬底（如硅、金属或硅化物）相互作用，产生严
Low Energy Contact Engineering: Principles, Physics, and Advanced Node Integration
Introduction In modern very-large-scale integration (VLSI) manufacturing, contact resistance ($R_c$) at the metal-semiconductor interface represents one of the
远程等离子体氧化物刻蚀：物理机制、工艺原理及先进节点集成
引言 在先进半导体制造中，如何在不损伤底层原子层的情况下选择性去除超薄膜，是实现器件微缩的一项关键要求 T2。随着晶体管从平面架构向复杂的 3D 结构过渡，传统的干法刻蚀技术面临物理极限 T1, T2。标准的反应离子刻蚀 (RIE) 系统会使衬底受到高能离子轰击，这可能导致严重的晶格缺陷、晶圆带电以及关键尺寸 (CD)
半导体制造中磷硅玻璃（PSG）综合指南
简介 磷硅玻璃 (PSG) 是一种重要的掺杂硅酸盐材料，广泛应用于硅基集成电路和微结构的制造中 T1。在结构上，PSG 是二氧化硅 ($SiO_2$) 和五氧化二磷 ($P_2O_5$) 的固态混合物 T1。在半导体制造史上，该材料发挥了多种关键作用，包括吸杂移动离子杂质、降低本征薄膜应力、通过热回流平坦化形貌，以及充
Silicon Carbonitride: Principles, Process Integration, and Advanced Node Evolution
Introduction Silicon carbonitride (SiCN) has emerged as a cornerstone material in advanced semiconductor manufacturing, bridging the gap between traditional die
Passivation Layer Deposition: Physical Principles, Process Integration, and Advanced Node Evolution
Introduction In modern semiconductor fabrication, the final steps of back-end-of-line (BEOL) processing are just as critical to device yield and reliability as
先进半导体制造中前段介质平坦化的基本原理
引言 前金属介质 (PMD) 层通常被称为第一层层间介电 (ILD) 层，它是前段工艺 (FEOL) 有源器件与后段工艺 (BEOL) 金属化层之间至关重要的电气隔离屏障 T1, T2。在第一层金属沉积之前，由于晶体管栅极、源极/漏极接触区以及浅沟槽隔离 (STI) 边界等底层结构的存在，晶圆表面具有高度的非平面性 T
先进半导体制造中的光刻技术：物理学、化学机制与节点演进
导言 在现代集成电路 (IC) 制造中，光刻是图形生成与转移的核心基石 T1。光刻的主要目标是有选择性地将高精度、多维度的几何图形投影到半导体衬底上 P2。这一工艺定义了有源区、隔离边界、晶体管栅极以及复杂的多层金属化网络的空间布局 T1, T2。微电子行业的历史轨迹一直由不断缩小这些特征尺寸的驱动力所决定，旨在优化器