技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
40nm BSI CMOS图像传感器双栅氧集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在整个流程中的角色 40nm BSI CMOS图像传感器的双栅氧化层（DGOX）集成模块在整体前段工艺（FEOL）流程中占据着核心地位。
40nm背照式CMOS图像传感器栅极堆叠集成：工艺流程原理与器件物理
在完整流程中的作用 在40纳米背照式（BSI）互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器工艺中，栅极堆叠模块位于前段器件成型与后续自对准注入步骤之间的关键节点。
40nm背照式CMOS图像传感器像素与外围NMOS集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 在40纳米背照式（BSI）CMOS图像传感器中，像素与外围NMOS集成模块在整个制造序列中占据关键地位。当该模块开始时，晶圆已完成隔离结构、阱注入和栅极堆栈定义。
40nm BSI CMOS图像传感器光电阴极IIPX光刻工艺流程：原理、物理机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 Photocathode IIPX - Photo（光电阴极IIPX光刻）步骤定义了40nm背照式（BSI）CMOS图像传感器中N型电荷收集阱的空间边界，实现了对3D势阱容量的精确控制。
7nm FinFET厚栅氧生长工艺流程：物理机制、集成逻辑与器件物理
在整个流程中的作用 在7nm FinFET集成流程中，厚栅氧化层的生长位于栅极模块序列的前端，紧接在鳍片形成、浅槽隔离下凹和表面预清洗之后。在沉积和图案化牺牲性伪栅结构之前，需在活性鳍片沟道上建立一层致密的二氧化硅层。
7nm FinFET替代金属栅极集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 在7nm FinFET工艺流程中，替代金属栅极（RMG）模块是一个决定性的结构转变，它将临时的多晶硅伪栅极转换为最终的高k/金属栅极（HKMG）堆叠。
FinFET鳍片：物理原理、图案化机制及先进节点演进
鳍式场效应晶体管（FinFET）的鳍片是定义非平面晶体管架构的核心结构单元，该架构从 22 nm 节点起推动了半导体工艺的持续微缩。本质上，鳍片是从衬底表面向上延伸的窄条状单晶硅，用作晶体管的有源区体。
NMOS晶体管形成：物理原理、工艺基础与先进节点集成
NMOS 晶体管如何工作、如何形成？区分工作时的反型沟道与现役平面流程中的体区、栅和源漏步骤。
14nm FinFET：器件物理、工艺集成与静电缩放原理
14nm技术节点是半导体制造过程中的一个重要分水岭——在这一代，三维鳍式场效应晶体管（FinFET）从早期的架构转变成熟为大规模量产的主力器件。
FinFET：先进半导体制造中的物理、工艺原理及技术演进
鳍式场效应晶体管（FinFET）是一种非平面、多栅极的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）架构，其中导电沟道形成在从衬底突出出的薄硅"鳍"的垂直侧壁——以及可选地顶面——上。
重置晶体管（RST）：先进半导体节点中的物理原理、工艺集成与阻变存储器控制
重置晶体管（RST）是现代非易失性存储器架构中的关键存取元件——特别是在单晶体管-单电阻（1T1R）电阻式随机存取存储器（RRAM）和氧化物基RAM（OxRAM）单元中。
解密复位晶体管（RST）：物理原理、工艺集成与先进制程挑战
复位晶体管（RST）是现代集成电路设计中的基础元件，在光电传感与非易失性存储架构中发挥着关键作用。作为CMOS图像传感器内部主动像素传感器（APS）架构的核心组件，复位晶体管在光子电荷积累前为光电积分建立基准参考电压。