技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
7nm金属栅极CMP机理：物理化学、平坦化停止控制及工艺集成动力学
完整流程中的功能 在先进的替换金属栅极（RMG）FinFET 集成中，牺牲性多晶硅假栅被去除，并替换为高 k 栅介质、多层功函数金属以及低电阻率体填充金属。
7nm鳍上伪栅极刻蚀：物理机理、集成逻辑与后端可靠性
在完整流程中的功能 在采用替代金属栅极（RMG）方案的 7nm 鳍式场效应晶体管（FinFET）逻辑制造中，伪栅极图形化是一个基础的前段（FEOL）模块。
14nm FinFET虚栅硅过鳍刻蚀：物理机制、形貌控制与模块集成
完整流程中的功能 在先进多栅极架构集成中，特别是在14nm栅极模板定义中，功能型晶体管栅极结构的形成依赖于替代金属栅极（RMG）方案 。
40nm BSI CIS 集成中的 P 型钉扎注入与表面电势控制
完整工艺流程中的功能 在现代图像传感器制造中，表面钉扎层（surface pinning layer）的形成是前段工艺（FEOL）光电二极管模块中的关键步骤。
14nm FinFET 鳍切割集成工艺流程：原理、机理与模块依赖关系
在整个流程中的作用 14nm FinFET 鳍片切割模块在前段工艺（FEOL）序列中占据关键位置，介于鳍片图案化与浅槽隔离（STI）回蚀之间。
14nm FinFET鳍片图形化工艺流程：集成原理、物理机制与模块依赖性
完整流程中的角色 14nm FinFET鳍片图形化（fin patterning）模块是整个晶体管制造的架构基石。
14nm 硅鳍沟槽刻蚀与鳍回刻集成
这个模块实际改变什么 在所链接的 14nm FinFET 流程中，鳍回刻集成模块位于隔离形成之后、栅极模块之前。
14纳米FinFET栅极堆叠集成工艺流程：原理、机制与模块依赖关系
在完整工艺流中的角色 14nm FinFET 代次的栅堆叠集成模块在14nm FinFET 整体工艺流程中占据着核心位置，介于前段（FEOL）结构成形与完成活性器件沟道的源/漏工程之间。
14nm FinFET替换金属栅极集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的作用 替换金属栅极（RMG）模块在14纳米FinFET工艺流程中占据关键位置，扮演着前段工艺（FEOL）晶体管形成与中段工艺（MOL）/后段工艺（BEOL）互连构建之间的桥梁角色。
28纳米平面有源区定义工艺流程：集成原理与物理机制
在整个流程中的角色 在28纳米平面CMOS工艺中，有源区定义模块位于前端工艺序列早期的基础位置。它接收裸硅衬底或经预处理的硅衬底——通常是在初始表面准备之后——并必须提供这样一个晶圆表面：其上用于晶体管形成的硅区域与用…
28nm平面栅极堆叠集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 28nm平面栅极堆叠集成是整个 28nm平面工艺流 中最关键的模块之一，位于沟道静电工程与源漏形成之间。上游，该模块接收已完成浅槽隔离（STI）、阱形成、沟道注入和阈值电压调整注入的晶圆。
28nm平面置换金属栅极集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在整个流程中的作用 28nm平面替换金属栅极（RMG）集成是一个关键模块，位于前段工艺（FEOL）晶体管制造与后段工艺（BEOL）互连构建之间。