技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
半导体界面：先进CMOS中的物理原理、电荷机制与集成挑战
在半导体制造中，界面是两种不同材料相遇的原子级薄边界区域——最著名的是支撑互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的硅/二氧化硅（Si/SiO₂）界面。
半导体制造中钝化的基本原理：物理机制与集成工艺
钝化是半导体制造中的一项基本工艺。其核心是指在半导体表面或界面上有意形成保护层或化学状态，以抑制不利的物理、化学或电学相互作用。
半导体制造中的阻挡层前处理：物理原理、工艺机制与集成逻辑
阻挡前处理为接触衬里准备表面；40nm 流程展示相邻刻蚀、Ti/TiN 与钨步骤，但未命名处理方法。
半导体制造中的压力基本原理：物理、工艺控制与先进节点集成
压力是半导体制造中最基本的热力学变量之一，它控制着气相传输、表面反应动力学、等离子体行为，甚至电子能带结构。在集成电路制造的背景下，压力指的是工艺腔室内气体分子施加在单位面积上的力，它直接决定了分子的平均自由程、物种间…
半导体制造中化学机械抛光的基本原理：物理、机理与集成
化学机械抛光（CMP），有时也称为化学机械平坦化，是一种精密表面精加工工艺，它结合化学反应和机械磨蚀，实现半导体晶圆的全局平坦化。正如其名称所示，CMP是化学和机械抛光或刻蚀的结合 T1。
工程化第二PMD层：物理原理、工艺集成与先进节点微缩
在半导体互连制造的分层结构中，位于有源器件端与第一金属互连层之间的介电叠层，既起到电隔离屏障的作用，又为后续金属化工艺提供了结构基础。
半导体制造中的选择性：物理原理、工艺控制与先进节点演进
选择比在相同条件下比较两种材料上的工艺速率；流程标签只提供背景，没有实测速率比。
理解半导体衬底：物理原理、工艺集成与先进节点演进
在半导体制造中，术语“衬底”指代可在其上形成器件、电路或薄膜的任何底层材料或多层材料结构。在最基本的物理层面上，衬底是每个集成电路的物理与电气基础——它是构建晶体管、金属互连和无源元件的晶体平台。
工艺温度与热预算：半导体制造中的权衡
温度以不同方式影响扩散、反应速率、应力和工艺控制；热预算同时取决于时间与叠层材料。
半导体制造中的厚度理解：物理原理、计量学与节点演进
在半导体制造中，厚度指的是沉积或生长的薄膜层——无论是栅介质、金属互连、侧墙还是外延沟道——垂直于晶圆表面测量的垂直尺寸。
半导体制造中的均匀性：物理原理、工艺控制与先进节点挑战
均匀性衡量的是工艺结果（无论是薄膜厚度、关键尺寸 (CD)、刻蚀深度还是掺杂浓度）在晶圆内、晶圆间以及批次间的一致性。
解密先进半导体制造中的有源区：物理机制、工艺集成与尺寸缩放
在集成电路架构中，有源区 (Active Area, AA) 是进行电子计算和物理信号转换的基础域。从名义上讲，有源区是指半导体衬底或薄膜层中用于制造晶体管、二极管和发光元件等有源器件，且电荷载流子实际发生漂移、扩散或…