技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
前段工艺（FEOL）：晶体管在硅里建成的全过程
前段工艺（FEOL）在硅里建成晶体管本身——隔离、栅堆叠、结、源漏，第一次金属层之前的全部。它决定芯片的驱动电流、漏电与可靠性下限。
半导体制造中的二氧化铪：物理特性、集成与先进节点微缩
HfO₂ 有助于栅极在保留电容的同时增加物理绝缘间隔；硅侧界面、金属栅和退火共同决定其真实电学效果。
半导体制造中的离子沟道效应：物理机制、控制与器件影响
简介 离子沟道效应是半导体制造中的一种基本物理现象，即高能离子在单晶晶格的开放空间（即“沟道”）中穿行时会发生异常长距离的穿透。在离子注入工艺中，掺杂离子被加速注入半导体衬底以调节其电导率。
轻掺杂漏极扩展区：原理、物理与工艺集成
简介 随着半导体器件几何尺寸的不断缩小，短沟道效应已成为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）微缩过程中的关键挑战。
轻掺杂漏极 (LDD)：物理原理、器件集成与技术演进
LDD 延伸区可分散漏侧电场，也带来串联电阻。40nm NMOS 的光刻与注入两步展示它在一个流程中的位置。
先进半导体制造：中段工艺（MOL）集成的物理与原理
中段工艺（MOL）是现代半导体制造中连接前段工艺（FEOL）有源晶体管器件与后段工艺宏观布线网络的关键集成模块。
半导体制造中的光刻胶：原理、物理学与工艺演进
简介 光刻胶（PR）是一种感光聚合物材料，构成了现代半导体制造中图形定义的基础。它是图形转移的主要介质，在干法刻蚀或离子注入等关键下游工艺步骤中充当临时牺牲掩模。
半导体制造中的预非晶化损伤：物理、机制与集成
预非晶化损伤是指在注入掺杂剂之前或注入期间，有意引入到晶体半导体晶格中的结构紊乱。在半导体制造中，通过离子注入将掺杂剂引入晶格时，往往会受到离子沟道效应（ion…
逆向阱工艺：原理、物理机制与先进半导体集成
简介 逆向阱（retrograde well）是一种特殊的半导体掺杂分布，其杂质浓度在硅表面处最低，并随深度增加而逐渐升高，在衬底深处达到峰值浓度。
浅沟槽隔离 (STI)：物理原理、工艺集成与节点演进
简介 浅沟槽隔离（STI）是一项基础的集成电路结构，用于防止相邻半导体器件之间产生非预期的漏电流。在不断提高器件封装密度和保持晶圆表面平坦度的推动下，浅沟槽隔离在现代集成电路制造中已完全取代了诸如硅局部氧化（LOCOS…
晶体管侧墙间隔层：形成与作用
晶体管侧墙间隔层如何形成、起什么作用？沿现役平面流程看沉积、定向刻蚀及后续源漏偏移。
半导体制造中的二氧化硅：物理、原理与演进
二氧化硅 (SiO2) 是互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术史上最重要的介电材料之一。硅相比于锗或砷化镓等其他半导体材料的历史统治地位，很大程度上归功于其能够轻易形成稳定且高质量原生热氧化层的独特能力。