技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
TEOS 是什么：氧化硅前驱体及成膜边界
TEOS 是部分氧化硅 CVD 路线使用的液体含硅前驱体；覆盖和组成取决于氧化剂、活化方式与几何结构。
钴金属化：物理原理、集成逻辑与先进制程微缩
简介 在持续维持现代微电子缩放定律的推动下，纳米级材料工程已成为器件性能的主要驱动力。几十年来，铜（Cu）和钨（W）分别作为后段工艺（BEOL）金属化和中段工艺（MOL）局部互连结构的主力材料。
钌在半导体互连中的作用
钌在半导体互连中做什么？区分钌作为铜衬层与直接导体的实验用途，并用现役铜后段流程作参照。
半导体制造中的退火技术：物理机制、原理与工艺演进
退火是一种基本的热处理工艺，用于改变半导体材料的物理、化学和电学性质。在集成电路制造中，需要精确的掺杂来调节硅的电导率并调整费米能级，从而决定器件的功能特性。然而，通过高能离子轰击引入掺杂剂会破坏主体晶格。
深紫外（DUV）光刻：从曝光、显影到图形转移
深紫外（DUV，准分子激光）是光刻的主力曝光波段：更短波长按瑞利判据换更小关键尺寸——曝光写潜像、显影成掩模、刻蚀转图形，一条完整接力链。
氢氟酸刻蚀：对氧化硅的选择性及适用边界
在部分清洗中，HF 可比晶体硅更快去除二氧化硅；氧化剂及邻近材料会改变选择性，须按完整膜栈核验。
先进半导体制造中电感耦合等离子体（ICP）的物理机制与集成
简介 感应耦合等离子体（ICP）是现代半导体制造中的核心技术支柱，能够实现精确的图形转移和材料表面改性。随着器件几何尺寸的缩小和结构复杂性的提升，对方向性好、低损伤刻蚀以及可控沉积的需求，促使高密度等离子体源得到了广泛…
TMAH 是什么：无金属离子的显影液与硅刻蚀剂
氢氧化四甲铵（TMAH）是无金属阳离子的季铵强碱：光刻胶显影液、单晶硅各向异性刻蚀剂、CMP 后清洗的碱性组分——一个围绕高 pH 与零金属污染建立的化学平台。
半导体制造中的湿法清洗：物理、机制与集成
湿法清洗是半导体制造中的基础工艺，旨在去除晶圆表面的颗粒、金属、有机物和自然氧化层污染。在集成电路制造的高灵敏度环境中，即便是原子级的杂质或极微小的分子污染物，也可能严重降低器件性能、改变电学特性并损害整体良率。
先进半导体制造中功函数的物理机制、集成与演进
在先进半导体制造领域，功函数（Work Function, WF）的概念是晶体管设计和性能微缩的基石。从历史上看，早期的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）依靠重掺杂多晶硅作为栅电极，通过掺杂浓度调节费米能级以…
后段工艺 (BEOL)：物理原理、集成与先进制程演进
后段工艺（BEOL）代表了半导体制造的第二大阶段，在此期间，前段工艺制造出的所有独立、孤立的晶体管被互连起来，形成功能性的集成电路。
半导体制造中的二氟化硼 (BF2)：物理特性、机制与工艺演进
二氟化硼 (BF2) 是一种关键的分子前驱体，广泛用于离子注入工艺，旨在将 p 型硼掺杂剂引入硅晶圆中。硅的本征载流子浓度不足以维持实际晶体管的运行，因此必须引入受主杂质来调节导电性并确定费米能级。