技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
先进半导体制造中种子层工程的基本原理
简介 在现代集成电路（IC）制造中，特别是在前段工艺加工和后端金属化过程中，在复杂的三维拓扑结构上实现高度均匀且保形的薄膜至关重要。
高级硅制造中应力记忆技术（SMT）的基本原理
SMT 可在移除临时薄膜后保留部分应力效应。现有 40nm 退火早于所引帽层，故该流程未展示所述序列。
精通先进制程半导体制造中的无孔隙填充：物理原理、工艺工程与制程节点演进
简介 在现代超大规模集成（ULSI）互补金属氧化物半导体（CMOS）制造中，将材料无缝填充至高深宽比（HAR）特征结构中的能力是器件性能与可靠性的基石。
自对准硅化物阻挡层（SAB）指南：物理原理、工艺整合与先进制程演进
自对准硅化物工艺一直是互补金属氧化物半导体（CMOS）集成的核心模块。这种自对准硅化物工艺被命名为 salicide T2。
先进半导体制造中自对准硅化物（Salicide）的物理原理与工艺整合
自对准硅化物（Salicide）技术是互补金属氧化物半导体（CMOS）逻辑芯片制造中的核心整合模块。随着晶体管尺寸微缩至深亚微米阶段，器件的本征沟道电阻显著下降，使得寄生电阻成为限制器件开关速度和电路整体性能的主要瓶颈。
半导体制造中的碳化硅 (SiC)：物理特性、工艺原理与工程挑战
简介 碳化硅（SiC）是一种由硅和碳组成的化合物半导体材料，已成为现代电力电子学的基石。在半导体制造业领域，传统的硅材料在极端工作条件下已接近其物理极限。
先进光刻中底部抗反射涂层 (BARC) 的深度解析：物理原理、集成与演进
在现代半导体制造中，减小关键尺寸 (CD) 并提高晶体管集成密度要求采用亚波长光刻技术。当特征尺寸缩小到远低于曝光光源波长的水平时，背部反射、薄膜干涉和衍射等光学现象会严重降低图形化保真度。
先进半导体工艺中氮氧化硅的基本原理
简介 氮氧化硅（Silicon oxynitride），化学式表示为 SiOxNy，通常简称为 SiON，是一种非化学计量比的介电材料，在集成电路（IC）器件的微缩和性能提升中发挥了关键作用。
半导体制造中的未掺杂硅酸盐玻璃（USG）：原理、机械可靠性与工艺集成
未掺杂硅酸盐玻璃（USG）是现代半导体制造中最基础的薄膜介质材料之一。其本质是一种高纯度非晶二氧化硅（SiO₂）薄膜，在沉积过程中不刻意引入硼或磷等掺杂剂。
半导体制造中磷硅玻璃（PSG）综合指南
简介 磷硅玻璃 (PSG) 是一种重要的掺杂硅酸盐材料，广泛应用于硅基集成电路和微结构的制造中。在结构上，PSG 是二氧化硅 (SiO2) 和五氧化二磷 (P2O5) 的固态混合物。
碳氮化硅：物理原理、工艺集成与先进节点演进
碳氮化硅（SiCN）已成为先进半导体制造中的关键材料，成功填补了传统介电薄膜与现代技术节点对电学、热学及机械性能严苛要求之间的鸿沟。
半导体制造中硼磷硅玻璃 (BPSG) 的基础知识：原理、回流及先进制程集成
在微电子制造中，隔离有源器件区域并在陡峭的表面拓扑结构上保持结构完整性是一项根本性挑战。硼磷硅玻璃（BPSG）是一种经硼和磷掺杂改性的专用硅酸盐介质材料，广泛应用于集成电路制造中的金属前介质（PMD）或层间介质（ILD…