技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
7nm FinFET M3互连集成：工艺流原理与ESL机制
在完整流程中的角色 在7nm FinFET技术平台中，金属三（M3）互连模块在后段工艺（BEOL）互连堆叠中占据枢纽位置。
7纳米FinFET中段互连集成：工艺流原理与模块依赖关系
在完整流程中的角色 在7纳米FinFET技术平台中，中级互连堆叠——通常涵盖金属层M4至M8——扮演着关键桥梁角色，连接着紧邻晶体管前端的间距紧凑的局部互连层与后段工艺（BEOL）中更宽、电阻更低的全局布线层级 。
7nm FinFET M9（第九层金属）互连集成：ESL化学、大马士革逻辑及模块依赖性
在完整工艺流程中的角色 7nm FinFET 第九层金属 (M9) 互连集成模块在 7nm CMOS FinFET 技术平台的后段工艺 (BEOL) 堆叠中占据关键位置。
7nm FinFET 虚拟多晶硅开孔与平坦化工艺流程：集成原理、物理机制与模块依赖关系
在完整工艺流程中的角色 7nm FinFET 虚拟多晶硅开孔与平坦化（POP）模块位于后栅（RMG）集成方案的关键节点，连接前端晶体管结构形成与决定最终器件特性的栅极堆栈替换过程。
7nm FinFET替代金属栅极集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 在7nm FinFET工艺流程中，替代金属栅极（RMG）模块是一个决定性的结构转变，它将临时的多晶硅伪栅极转换为最终的高k/金属栅极（HKMG）堆叠。
7nm FinFET源漏集成：工艺流程原理、器件物理与模块依赖性
在完整流程中的角色 在7纳米FinFET工艺中，源漏（SD）集成模块位于前段工艺（FEOL）晶体管定义与完成栅极堆栈的替代金属栅极（RMG）序列之间的关键位置。FinFET已成为跨越先进技术节点的主流逻辑器件 P4。
7纳米FinFET垫氧化预清洗：集成原理与表面物理
在完整流程中的作用 在7nm FinFET工艺流程中，垫氧化前表面清洗操作位于浅沟槽隔离（STI）模块的来料衬底制备与热垫氧化生长序列之间的关键交界处。
7纳米FinFET接触孔集成工艺流程：原理、机制与模块依赖关系
在完整流程中的角色 7nm FinFET 接触通孔集成模块在整体工艺流程中处于关键位置：它连接了前段工艺（FEOL）晶体管制造与中段/后段工艺（MOL/BEOL）互连结构。
7nm FinFET 起始晶圆与衬底制备：集成原理、器件物理与工艺流
在完整流程中的角色 晶圆起始与衬底制备（WFR）模块是整个 7nm FinFET 工艺流的基础入口点。在进行任何鳍片图形化、栅极堆叠形成或源/漏外延之前，晶圆必须经过选择、清洗，并具备精确的晶向、掺杂剂类型和表面状态。
FinFET鳍片：物理原理、图案化机制及先进节点演进
鳍式场效应晶体管（FinFET）的鳍片是定义非平面晶体管架构的核心结构单元，该架构从 22 nm 节点起推动了半导体工艺的持续微缩。本质上，鳍片是从衬底表面向上延伸的窄条状单晶硅，用作晶体管的有源区体。
离子注入在半导体制造中的应用：物理原理、工艺集成与节点演进
离子注入是现代半导体制造中基础性的掺杂方法，它取代了经典的热扩散工艺，因为能够对掺杂剂量和结深进行独立、精确的控制。
NMOS晶体管形成：物理原理、工艺基础与先进节点集成
NMOS 晶体管如何工作、如何形成？区分工作时的反型沟道与现役平面流程中的体区、栅和源漏步骤。