技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
40nm BSI CMOS图像传感器Via-Five集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 40nm背面照度(BSI)CMOS图像传感器的第五通孔(V5)集成模块，在背面照度CMOS图像传感器的多层互连堆叠中占据关键位置。
40纳米背照式CMOS图像传感器阱区形成工艺流程：逻辑集成、物理原理与氧化生长法则
在整个流程中的角色 在40nm背照式CMOS图像传感器工艺流程中，阱形成模块占据着器件隔离完成与光电二极管/栅极堆叠构建之间的关键位置。
40nm BSI CMOS图像传感器起始晶圆与衬底制备：原理、集成逻辑及工艺物理
完整工艺流程中的角色 40nm背面照明（BSI）CMOS图像传感器的起始晶圆及衬底制备模块——常被称为WFR模块——是建立物理、化学及电气基础的基础工艺序列，所有后续前段工艺（FEOL）步骤均依赖于此。
7nm FinFET接触孔集成工艺流程：原理、机理与集成逻辑
在完整流程中的角色 7nm FinFET接触孔集成模块位于前段工艺（FEOL）晶体管形成与中段工艺（MOL）/后段工艺（BEOL）互连构建之间的关键界面。
7nm FinFET工艺流：集成原理、器件物理与模块依赖性
工艺流程图与范围 7纳米FinFET技术节点是先进逻辑半导体制造中的一个关键代际，其中三维沟道环绕、极紫外（EUV）光刻和接触电阻工程相结合，以维持性能、功耗和面积密度提升的历史轨迹。
7nm FinFET厚栅氧生长工艺流程：物理机制、集成逻辑与器件物理
在整个流程中的作用 在7nm FinFET集成流程中，厚栅氧化层的生长位于栅极模块序列的前端，紧接在鳍片形成、浅槽隔离下凹和表面预清洗之后。在沉积和图案化牺牲性伪栅结构之前，需在活性鳍片沟道上建立一层致密的二氧化硅层。
7nm FinFET金属零层互连集成：工艺流原理、ESL沉积机理与模块依赖性
在整个流程中的角色 金属零层（M0）互连模块位于7纳米FinFET工艺流中的一个关键连接点，它桥接了中段工艺（MOL）接触结构与第一个常规后段工艺（BEOL）金属层。
7纳米FinFET金属一层互连集成：工艺流程原理与ESL沉积机理
在完整流程中的作用 在7nm FinFET技术节点中，金属一层（M1）互连模块在工艺架构中占据关键地位：它是连接前段工艺（FEOL）晶体管结构与后段工艺（BEOL）互连堆叠的第一个金属布线层级。
7纳米FinFET金属十层互连集成：工艺流程原理、ESL化学与模块依赖关系
在完整流程中的角色 7nm FinFET技术平台代表了一个世代，其中极紫外（EUV）光刻被全面应用于中段工艺（MOL）接触孔和最小间距金属/通孔互连，与前代节点相比，从根本上收紧了关键尺寸（CD）分布并减少了掩模层数量。
7nm FinFET金属第十一层互连集成：工艺流程原理、ESL化学与模块依赖关系
在完整流程中的角色 金属十一（M11）互连模块在7nm FinFET技术平台的上层后段工艺（BEOL）堆叠中占据着关键位置。
7nm FinFET 顶层金属互连集成：M12模块工艺流程原理及ESL化学
在完整流程中的角色 7nm FinFET 顶层金属互连集成代表了后段工艺（BEOL）布线堆栈的收官之作，其中顶层金属——指定为 M12——连接密集的下层信号布线至焊盘和封装接口。
7纳米FinFET金属第二层互连集成：工艺流程原理与ESL沉积力学
完整流程中的角色 在7nm FinFET工艺流中，金属二层（M2）互连模块占据后段工艺（BEOL）架构中的关键位置。