技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
40nm BSI CMOS图像传感器像素与外围接触注入集成：工艺流程原理与器件物理
在完整流程中的角色 40纳米背照式（BSI）CMOS图像传感器代表了这样一代图像传感器技术：像素阵列和外围逻辑电路共存于同一衬底上，同时服务于根本不同的电气功能。
40nm BSI CMOS图像传感器光电阴极IIPX光刻工艺流程：原理、物理机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 Photocathode IIPX - Photo（光电阴极IIPX光刻）步骤定义了40nm背照式（BSI）CMOS图像传感器中N型电荷收集阱的空间边界，实现了对3D势阱容量的精确控制。
40nm背照式CMOS图像传感器前段金属介质集成：工艺流程、机理与失效传播
在完整流程中的角色 在 40nm 背照式（BSI）CMOS 图像传感器中，前金属电介质（PMD）模块充当已完成的前段工艺（FEOL）晶体管结构与第一层后段工艺（BEOL）金属互连之间的关键结构和电气桥梁。
40nm BSI CMOS图像传感器背面衬底接触集成工艺流程：原理、机制与模块依赖性
在完整流程中的角色 在40纳米背照式（BSI）互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器（CIS）的制造流程中，背侧衬底接触集成模块——通常称为SBST_CONT模块——位于背侧衬底减薄/钝化与背侧金属化之间的关键位置。
40nm 背照式CMOS图像传感器浅沟槽隔离工艺流程：集成逻辑、机理及工程权衡
在整体流程中的角色 在40纳米背照式（BSI）互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器中，浅沟槽隔离（STI）模块是最早且结构影响最大的前段工艺（FEOL）步骤之一。
40纳米背照式CMOS图像传感器侧壁间隔层集成：工艺流程原理与器件物理
在完整流程中的角色 在40nm背照式（BSI）互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器中，侧壁间隔层（SWS）模块位于栅极堆叠完成与源/漏注入之间的关键位置。
40nm BSI CMOS图像传感器背面晶圆减薄工艺流程：集成原理与物理机制
在完整流程中的角色 40纳米背照式（BSI）CMOS图像传感器代表了一代成像器件，其光电二极管阵列和读出电路分别位于减薄后的硅衬底的两个表面，并被像素侧与逻辑侧的晶圆键合界面隔开。
40nm BSI CMOS图像传感器上层光学透明层与微透镜集成：工艺流程原理与物理机制
在完整流程中的角色 40nm BSI CMOS图像传感器的上层光学透明层与微透镜集成模块位于背面光学堆叠的最顶部，作为外部光学世界与硅光电二极管阵列之间的最终接口。
40nm BSI CMOS图像传感器单通孔集成：工艺流原理与器件物理
在完整流程中的角色 在40nm背面照明（BSI）CMOS图像传感器工艺流程中，通孔一（V1）集成模块作为后段工艺（BEOL）堆叠中的首个金属间垂直通孔开口层。
40nm背照式CMOS图像传感器双通孔集成：工艺流原理与器件物理
在整个流程中的作用 在40nm背照式（BSI）CMOS图像传感器中，通孔二（V2）模块是第二层金属互连与后续第三层金属之间的关键层间连接步骤。
40nm BSI CMOS图像传感器Via 3光刻：集成原理与器件物理
在完整流程中的角色 在40nm背照式（BSI）CMOS图像传感器（CIS）的后段工序（BEOL）制造流程中，Via 3光刻（VIA 3 - Photo）步骤是一个关键的图形定义模块。
40nm背照式CMOS图像传感器四孔集成工艺流程：物理机制、集成逻辑与失效传播
在完整流程中的角色 40nm背照式（BSI）CMOS图像传感器的通孔四（via-four）集成工艺流程，在后段工艺（BEOL）互连序列中占据关键位置，位于第四层层间介质（ILD4）模块与后续第五金属层（MET5）模块之…