技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
干式刻蚀：原理、物理学和在先进半导体制造中的作用
介绍 干法刻蚀是现代半导体制造中最关键的图形转移技术之一 T2。与依靠液体化学溶液溶解材料的湿法刻蚀不同，干法刻蚀使用气相物种——最常见的形式是等离子体——从衬底表面去除材料 T1。"干法"一词反映了没有液体蚀刻剂的特点，由于几乎总是涉及等离子体，该过程经常被称为等离子体刻蚀或等离子刻蚀 P2。干法刻蚀在集成电路制造中
极紫外光刻：原理、物理学与亚5nm半导体制造之路
介绍：什么是极紫外光刻及其为何重要 P3？ 在追求更小、更快、更能效的半导体器件的不懈努力中，光刻一直是进步的节拍器 T1。极紫外（EUV）光刻代表了光学图形化历史上最重要的波长飞跃——从193 nm深紫外（DUV）时代转向13.5 nm的波长，这是超过一个数量级的缩减 P3。这种曝光波长的戏剧性缩短不仅仅是增量式的改
化学机械平坦化：原理、机制和先进工艺节点集成
介绍 化学机械平面化（CMP），也被广泛称为化学机械抛光，是一种混合材料去除工艺，它将受控的化学反应与机械研磨相结合，以在大基底直径上产生异常平坦、光滑的晶圆表面 P1。CMP首次由IBM开发，并于1986年应用于氧化物抛光，随后于1988年应用于钨抛光，此后已发展成为半导体行业可以说是最关键的平面化技术 P1。它能够
原子层沉积：原理、机制及其在先进半导体制造中的作用
介绍 随着半导体器件缩放到仅由少数原子组成的尺寸，薄膜沉积技术面临的要求已变得异常严格 P3。原子层沉积(ALD)已成为现代半导体制造中最关键的使能技术之一，正是因为它在纳米尺度上提供了其他沉积技术无法匹配的厚度控制精度、共形性和成分精度 P1。P1 ALD是一种薄膜沉积技术，其中化学前驱体按顺序引入到衬底表面，在那里
鳍式场效应晶体管（FinFET）：物理学、工艺原理和技术演进
引言 鳍式场效应晶体管（FinFET）是一种三维金属-氧化物-半导体场效应晶体管架构，其中导电通道形成在从衬底表面突出的薄垂直硅鳍上，允许栅极绕过通道的多个侧面 T1。这种多栅极几何结构从根本上区别于FinFET和其平面前身：栅极不是通过单一顶表面栅极控制电流，而是对两个垂直侧壁施加静电影响，在许多实现中还包括鳍的顶表
高K金属栅极（HKMG）：原理、工艺集成和技术演进
1.介绍 — 什么是高-K金属栅极以及为什么很重要 P3？ 自集成电路发明以来，对更小、更快、更高能效晶体管的不懈追求推动了半导体制造经历数十年的几何缩放 T1。在这段历程中的大部分时间里，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的栅堆栈依赖于两种材料：二氧化硅（SiO₂）作为栅介质和多晶硅（polysilicon
离子注入：物理原理、工艺集成和跨技术节点的演变
1.引言 — 什么是离子注入及其为什么重要 P2? 离子注入是将受控数量的掺杂原子导入半导体衬底的主要技术 T1。在这个过程中，所需杂质物种的离子在离子源中产生，被提取、进行质量分析以分离出单一离子物种、加速到目标动能、并指向晶圆表面，在晶圆表面它们以统计定义的深度停留在晶格内 T2。由于每个离子携带的电荷可以被电学测
快速热退火：原理、物理和在先进半导体制造中的作用
介绍 快速热退火（RTA）是一种单晶圆热处理技术，其中半导体晶圆被加热到升高的温度持续非常短的时间——通常为秒数级——然后快速冷却 P2。与依赖许多晶圆同时缓慢、热平衡加热的常规批量炉退火不同，RTA使用高强度辐射能源源将单晶圆加热到峰值温度几乎瞬间完成，然后移除热源使晶圆同样快速冷却 T1。这一热策略的根本差异不仅是
铜双大马士革：高级后段工艺金属化中的原理、工艺集成和演进
1.引言 铜双大马士革工艺是一种基础的后段工艺(BEOL)金属化技术，在单次铜填充和化学机械抛光(CMP)步骤中同时形成金属通孔和金属沟槽互连T1。与直接沉积和刻蚀金属膜的方法不同——这种方法对铜不适用，因为Cu的干法刻蚀会产生非挥发性副产物——该工艺改为首先在介电层中刻蚀所需的几何形状，用铜填充，然后通过CMP去除多
低介电常数材料：原理、材料和先进工艺节点中的集成
介绍 随着集成电路不断向更小的工艺节点扩展，后段工艺(BEOL)互连系统的性能已成为最关键的瓶颈之一P1。传统上,二氧化硅(SiO₂)作为介质层(ILD)分离铜或铝金属线A1。然而,SiO₂的介电常数(k)约为3.9至4.5,随着布线间距的缩小,介质引入的寄生电阻-电容(RC)延迟和串扰噪声成为主要的性能限制因素P1。