技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
金属阻挡层与衬垫：同一界面里的不同任务
比较扩散阻挡、衬垫与种子层角色，避免把界面功能当成可互换的材料名称。
接触电阻与互连电阻：沿电流路径区分贡献
沿完整电流路径，区分接触界面、接入区域和金属线的电阻贡献。
单镶嵌与双镶嵌：沿着填充顺序看区别
沿通孔与金属线的填充、平坦化和连接顺序，读懂单镶嵌与双镶嵌的区别。
通孔优先与沟槽优先：追踪哪些表面先暴露
追踪暴露表面和临时材料，理解通孔优先与沟槽优先的工序交接。
14nm M2铜CMP机理：物理、化学与集成逻辑
在完整流程中的功能 在先进多层互连架构中，后段工艺（BEOL）结构依赖铜金属线在集成电路（IC）内传输电源和高速电信号。
14nm FinFET工艺中栅极接触钨填充与CMP集成原理
在完整流程中的作用 在14nm FinFET架构的先进中段工艺（MOL）中，栅极接触金属化作为关键导电桥梁，将埋入式金属栅极电极连接到后端工艺（BEOL）互连网络。
28nm制程中接触势垒（CB）介质层刻蚀的物理原理、集成机制与器件可靠性
在完整流程中的作用 在28纳米平面工艺流中，接触势垒（CB）介质层刻蚀是打开穿过复合接触介质层堆叠的垂直接入通孔的关键图案转移步骤。
堆叠CIS热压键合机理：40nm BSI传感器中的物理原理与集成动力学
在完整流程中的功能 在现代成像架构中，背照式（BSI）CMOS 图像传感器（CIS）依靠异质垂直集成，将高填充因子的光电二极管阵列与高速处理逻辑分离。
7nm FinFET工艺中顶层钝化氧化物-氮化物叠层集成：物理机理、机制与后段工艺保护
完整工艺流程中的功能 在先进的 7nm 技术平台中，后段工艺 (BEOL) 互连层级终止于最顶层的金属化层（称为 M12）。
28nm平面工艺中的钨接触孔填充与化学机械平坦化
在完整工艺流程中的功能 在28nm平面CMOS架构中，钨接触插塞形成与随后的接触化学机械平坦化（CMP）构成了连接前段晶体管端子与第一层铜互连的关键导电界面。
7nm FinFET集成中的通孔接触金属填充与CMP：力学、平坦化及模块交互
完整工艺流程中的功能 在先进逻辑制造中，中段工艺（MOL）模块充当了关键的电气和物理桥梁，连接了位于下方的前段工艺（FEOL）有源晶体管结构（特别是下层源极/漏极沟槽接触和局部栅极电极）与后段工艺（BEOL）的多层互连…
14纳米FinFET栅极接触集成：工艺流、物理原理与模块依赖关系详解
在完整流程中的角色 在14nm FinFET工艺流中，栅极接触（CONTACT_CG）模块起着连接埋入式替代金属栅极（RMG）堆栈与后段工艺（BEOL）互连层的关键垂直电学桥梁作用。