看水平膜怎样被去除，侧面膜怎样保留为侧墙。
从掩膜开口到氧化物填充，看懂隔离结构的形成。
薄层保护界面，介质填满沟槽，CMP处理表面余量。
看临时硅栅去除、栅腔形成与最终电极的保留。
看铜如何填入通孔和线槽，再由CMP分隔线路。
从硬掩膜到钨CMP，认识接触加工的关键阶段。
追踪第一轮图形的保存，以及两组开口的形成。
认识收集电荷、感测电压和控制表面的三个区域。
先获得支撑，再减薄硅，最后进行背面钝化。
看滤色图形、平坦基底和透镜曲面怎样依次形成。
深入比较工序依赖、材料与路线。随对应节点开放，已购用户可直接进入。
28nm · 进阶课件正在确认权益…
分析沟槽刻蚀、去胶、清洗、衬垫氧化与填充的先后关系。
14nm · 进阶课件正在确认权益…
比较SOG、SOC与FCVD的材料类型、成膜方式和后处理目标。
比较通孔先行与线槽先行路线，理解临时填充和后续金属化的关系。