技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
14nm FinFET接触沟槽集成工艺流程：物理原理、机制与模块依赖性
在整个流程中的作用 14nm接触孔沟槽（CONTACT_CT）集成模块在整体FinFET制造流程中占据关键的过渡位置，连接前段工艺（FEOL）晶体管形成与中段（MEOL）及后段（BEOL）金属化互连。
14nm FinFET 前金属介质表面回蚀与金属电阻集成
本站 14nm FinFET 流程中的 CONTACT_MR 模块以 PMD Surface Recess（前金属介质表面回蚀）为入口，随后涉及金属电阻集成与介质封装。入口步骤所指的材料是前金属介质。
14纳米FinFET自对准接触集成：工艺流原理与机制
在整体流程中的角色 14纳米FinFET自对准接触（SAC）集成是一个关键的中段（MOL）模块，连接了前段（FEOL）晶体管制造与后段（BEOL）互连层。
14nm FinFET金属第一层互连集成：工艺流程、物理原理及模块依赖关系
在完整流程中的角色 在14nm FinFET技术中，金属一层（M1）互连模块充当晶体管级接触结构与多层后段工艺（BEOL）互连堆叠之间的关键桥梁。
14纳米FinFET金属第二层互连集成：工艺流程、物理机制与模块依赖性
在完整流程中的角色 在14nm FinFET逻辑工艺中，金属二层（M2）互连模块在后段工艺（BEOL）堆叠中占据关键地位。
28nm 末端介质钝化与开口集成
末端模块的真实范围 在所链接的 28nm 平面流程中，末端介质模块用于准备并保护已完成互连制造的表面。它形成氧化物与氮化物介质堆栈，对开口进行图形化，去除处理残留，并完成表面处理和热调理。
28nm平面接触孔形成工艺流程：集成原理、机制与模块依赖关系
在完整流程中的角色 在 28nm 平面工艺流中，接触孔形成模块占据着关键位置：它连接了前段工艺的晶体管结构与后段工艺的金属互连堆叠。
28nm平面金属一层互连集成：工艺流程原理与集成逻辑
在完整工艺流中的角色 在28nm平面工艺技术节点中，金属一层（M1）互连模块在后段工艺（BEOL）序列中占据着核心位置：它是首个通过硅化物源漏和栅极接触插塞直接与前段工艺（FEOL）器件结构相连的金属层。
28纳米平面金属二层互连集成：工艺流原理与机制深度解析
在完整流程中的角色 28nm平面工艺金属二层（M2）互连集成模块在28nm平面CMOS工艺的后段工艺（BEOL）序列中占据关键位置。
28纳米平面工艺上层金属互连集成：工艺流程原理与集成逻辑
在完整流程中的作用 28nm平面工艺上层金属互连集成代表了后段工艺（BEOL）堆叠中的一个关键过渡区域，在此处互连层级结构从紧密间距的下层金属信号布线逐步过渡到更宽、更厚的、专为电源分配和全局信号传输而设计的上层金属层。
28nm平面中段工艺集成：工艺流程原理与应变工程机制
在完整流程中的角色 28nm平面逻辑流程中的中段工艺（MOL）模块位于前段工艺（FEOL）晶体管制造与后段工艺（BEOL）互连构建之间的关键衔接点。
40nm BSI CMOS图像传感器感光与逻辑晶圆键合工艺流程：集成原理与物理机制
在完整流程中的角色 由于增强的像素级功能，CMOS图像传感器在市场应用中迅速普及，取代了此前由电荷耦合器件为主导的应用 T2。