技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
先进半导体工艺中氮氧化硅的基本原理
简介 氮氧化硅（Silicon oxynitride），化学式表示为 SiOxNy，通常简称为 SiON，是一种非化学计量比的介电材料，在集成电路（IC）器件的微缩和性能提升中发挥了关键作用。
半导体制造中的未掺杂硅酸盐玻璃（USG）：原理、机械可靠性与工艺集成
未掺杂硅酸盐玻璃（USG）是现代半导体制造中最基础的薄膜介质材料之一。其本质是一种高纯度非晶二氧化硅（SiO₂）薄膜，在沉积过程中不刻意引入硼或磷等掺杂剂。
P+ 接触注入：物理机制、工艺原理与节点演进
在现代半导体制造中，建立与 p 型硅衬底或阱区之间高度可靠、低电阻的电气连接是确保集成电路（IC）稳定运行的基础要求。
钝化层沉积：物理原理、工艺整合与先进制程演进
引言与概述 在现代半导体制造中，后道工序（BEOL）的最终步骤对器件良率和可靠性的影响，丝毫不亚于前道晶体管图形化。当复杂的金属互连网络和层间介质（ILD）完全构建完毕后，脆弱的活性硅电路必须得到严密的保护。
先进半导体制造中前段介质平坦化的基本原理
前金属介质（PMD）层，也称为第一层层间介电（ILD0）层，是前段（FEOL）有源器件（如晶体管栅极、源/漏结和浅沟槽隔离 STI 边界）与中段（MOL）接触网及后段（BEOL）金属化网络之间的关键结构与电气隔离屏障。
先进半导体制造中的光刻技术：物理学、化学机制与节点演进
导言 在现代集成电路 (IC) 制造中，光刻是图形生成与转移的核心基石。光刻的主要目标是有选择性地将高精度、多维度的几何图形投影到半导体衬底上。
共形二氧化硅硬掩模：物理原理、工艺集成与纳米级缩放
在过去几十年中，互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的缩小一直是推进现代集成电路发展的驱动力。随着特征尺寸持续缩小，光刻技术面临物理衍射极限。单层光刻胶已无法同时提供所需的高分辨率与抗刻蚀能力。
控制先进 BEOL 中的表面拓扑：铜凹陷与介质侵蚀的物理及工艺原理
在现代集成电路制造中，后段工序（BEOL）金属化负责在数十亿个晶体管之间传输电信号。为了最小化电阻并缓解电迁移，半导体行业从减法铝刻蚀转向了铜双大马士革架构。
揭秘 CMOS 图像传感器中的浮动扩散区：物理机制、工艺集成与微缩挑战
浮动扩散区是像素感测节点，转移电荷通过有效电容改变节点电压。40nm 流程可定位相关注入，不能代替器件性能测量。
理解光刻-刻蚀-光刻-刻蚀（LELE）：物理原理、工艺集成与先进制程演进
简介 在持续追求缩小硅集成电路 (IC) 特征尺寸的过程中，半导体制造业最终遇到了光学分辨率的基本物理边界。根据瑞利分辨率准则，最小可分辨特征尺寸与曝光波长成正比，与投影光学系统的数值孔径 (NA) 成反比。
半导体制造中磷硅玻璃（PSG）综合指南
简介 磷硅玻璃 (PSG) 是一种重要的掺杂硅酸盐材料，广泛应用于硅基集成电路和微结构的制造中。在结构上，PSG 是二氧化硅 (SiO2) 和五氧化二磷 (P2O5) 的固态混合物。
碳氮化硅：物理原理、工艺集成与先进节点演进
碳氮化硅（SiCN）已成为先进半导体制造中的关键材料，成功填补了传统介电薄膜与现代技术节点对电学、热学及机械性能严苛要求之间的鸿沟。