技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
揭秘多晶硅开窗抛光 (Poly Open Polish)：原理、机制与先进制程集成
在现代半导体制造中，从传统的氧化物基栅极向先进晶体管架构的转变，必然要求前段工艺（FEOL）和中段工艺（MOL）进行革命性的变革。
光刻前清洗：先进半导体制造中的基本原理、化学机制与节点演进
在超大规模集成电路（ULSI）领域，表面清洗是一项持续且至关重要的工艺环节。在这些步骤中，光刻前清洗（Pre-Litho…
半导体制造中硼磷硅玻璃 (BPSG) 的基础知识：原理、回流及先进制程集成
在微电子制造中，隔离有源器件区域并在陡峭的表面拓扑结构上保持结构完整性是一项根本性挑战。硼磷硅玻璃（BPSG）是一种经硼和磷掺杂改性的专用硅酸盐介质材料，广泛应用于集成电路制造中的金属前介质（PMD）或层间介质（ILD…
沉积速率：定义与适用边界
沉积速率衡量单位时间的膜厚增长。覆盖和膜质权衡取决于方法及几何；所链接流程未报告速率。
介电抗反射涂层（DARC）：原理、光学物理与先进集成
在现代半导体制造中，光刻是图形转移的核心手段，其定义的特征尺寸直接决定了器件的性能与集成密度。随着行业沿着摩尔定律演进，曝光波长已从 g 线和 i 线缩减至深紫外（DUV）体系（如 KrF 和 ArF…
扩散阻挡层：铜迁移、连续性与线电阻取舍
扩散阻挡层限制铜从互连线迁入邻近介质；扩散保护、附着力与线电阻必须共同权衡。
刻蚀回退原理、集成物理与技术节点演进
在集成电路的持续微缩过程中，实现平坦、无孔洞且高度可靠的多层结构是工艺集成的核心目标。在各种材料去除技术中，被称为刻蚀回退（Etch Back）的工艺发挥着至关重要作用。
解读前金属介质（PMD）：物理原理、工艺集成与先进节点演进
在现代集成电路制造中，活性半导体器件与复杂金属互连网络之间的边界是固态技术中最关键的界面之一。这一边界在物理上由前金属介质（PMD，Pre-Metal Dielectric）进行定义并实现电学绝缘。
自对准接触（SAC）：选择性刻蚀、保护边界与接触集成
自对准接触（SAC）利用栅极周围保留下来的绝缘结构和材料刻蚀选择性，在打开源／漏接触通路时保护相邻栅极。光刻仍决定开口的大致位置；“自对准”意味着结构可以容忍一定的图形重叠，并不意味着套刻误差或保护层损失可以忽略。
TEOS 是什么：氧化硅前驱体及成膜边界
TEOS 是部分氧化硅 CVD 路线使用的液体含硅前驱体；覆盖和组成取决于氧化剂、活化方式与几何结构。
ArF浸没式光刻：物理学、工艺原理及亚10nm扩展
几十年来，半导体行业一直在不懈地追求微缩，以保持摩尔定律所预期的性能提升和成本降低。实现这一微缩的主要手段是光学投影光刻。
理解 CMP 抛光液磨料：物理原理、微观机制与先进节点集成
在现代半导体制造中，实现晶圆表面的全局平坦化是执行亚分辨率光刻工艺的基本要求。随着晶体管尺寸的缩小，光学光刻系统的焦深急剧减小，几乎没有留给形貌变化的余地。实现这一所需平坦度的主导技术是化学机械平坦化 (CMP)。