沉积速率描述指定条件下单位时间的膜厚增长。它是有用指标,但单靠速率不能判断密度、成分、共形性或填隙。结果取决于沉积方法、化学、表面、几何和热史。所链接流程标出沉积位置,没有报告实测速率。
薄膜沉积图没有速率量测,也未标明沉积方法。
Process checkpoint · 工艺坐标
理解 SiO Hard Mask deposition 的工艺作用
查看硬掩模沉积工位;流程未报告生长速率。
与「沉积速率:定义与适用边界」相关的流程位置:40nm BSI CMOS Image Sensor · F_DTI · Step 12
物理与机制
薄膜生长可能受反应物或源材料输送、表面反应及副产物排出影响 。哪一过程限速随方法和条件改变。测得速率还取决于膜厚采样的位置与方法。对自限制循环沉积,应区分每周期增长量、周期时长与连续过程的单位时间增长。
工艺原则
比较速率须说明相同材料、方法、几何、量测位置和厚度定义。在某一工艺中,提高速率可能改变覆盖或膜性质,但方向与幅度须实测。吞吐量还受搬运、稳定、清洗等非生长时间影响。
失效模式
片内或特征之间的差异会使单一平均速率失真。满足膜厚目标的工艺仍可能在覆盖或成分上失效。较慢工艺也不天然更致密或更共形,须另行量测。
节点演进
更复杂形貌和更紧膜层要求,使局部覆盖与均匀性量测在平均速率之外更重要。一般趋势不等于每一后续节点都应选择更慢或更快的沉积。
参考来源
Silicon VLSI Technology - Full
James D. Plummer, Michael D. Deal, Peter B. Griffin
Silicon VLSI Technology · ISBN 978-0130850379