技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
碳氧化硅（SiCON）：物理原理、薄膜沉积与先进节点集成
在对摩尔定律的不懈追求中，半导体制造已从基础的材料优化演变为复杂的多组分非晶薄膜工程。用于硅基薄膜的传统化学气相沉积技术通常依赖硅烷等自燃或有毒气体 P1。
掌握单大马士革工艺：工艺物理、集成原理及先进制程演进
几十年来，集成电路（IC）的持续微缩推动了计算速度、能效和封装密度的提升。随着金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）有源栅极尺寸的缩小，主要的性能瓶颈从固有晶体管开关延迟转移到互连电阻-电容（RC）延迟。
源漏极凹槽深度解析：物理原理、工艺机制与先进节点集成
简介 在现代互补金属氧化物半导体（CMOS）微缩中，保持静电控制并同时最小化寄生电阻是器件物理学家和工艺工程师面临的最关键挑战之一。
先进半导体制造中表面清洗的基本原理：物理机制、化学动力学与节点演进
表面清洗为下一道工序准备指定表面。所链接清洗工位提供背景；污染与后续收益须量测。
薄膜电阻器的工程设计：物理原理、BEOL集成与先进节点演进
在现代集成电路（IC）设计中，无源元件与有源晶体管对系统整体性能同样重要。在这些无源元件中，薄膜电阻（TFR）是模拟、混合信号、射频（RF）和高压应用的基础构建模块。
先进半导体制造中氨过氧化物混合物的基本原理
在微电子制造中，保持晶圆表面的超洁净是实现高器件良率和可靠性的先决条件。氨过氧化氢混合液（APM），常被称为标准清洗液…
先进半导体图案化中非晶碳薄膜的基础：物理特性、沉积与集成
简介 在现代集成电路制造中，特征尺寸的持续微缩对传统的光刻和图形转移方案提出了严峻挑战。随着技术节点的演进，光刻胶（PR）的厚度必须大幅降低，以克服光衍射的物理限制，并防止因高深宽比而导致的图形坍塌。
先进半导体制造中覆盖层的基本原理：物理、集成与工程演进
在摩尔定律驱动的半导体器件尺寸不断缩小的过程中，现代半导体制造已从简单的同质材料体系过渡到高度复杂的多元纳米结构。
先进接触金属化：硅化钴 (CoSi₂) 的物理原理与集成
随着集成电路的微缩化深入到亚微米制程，源极、漏极和栅极处的寄生电阻成为限制器件性能的主要瓶颈。为了应对这一挑战，半导体工业采用了自对准硅化物（salicide）工艺，通过选择性地将暴露的硅表面转换为高导电性的过渡金属硅…
稀氢氟酸：氧化物清洗与选择性边界
DHF 可去除选定氧化硅，但稀释不保证在硅或邻近薄膜上停止；选择比和清洗后界面须按膜栈核验。
伪栅：替换金属栅中的临时栅
后栅式晶体管中的伪栅是什么？理解临时栅为何先图形化、后移除和替换，并以现役14nm流程概览定位模块。
高深宽比工艺：刻得深，还要填得满
高深宽比（HAR）工艺=深刻蚀+无空洞填充的组合：离子方向性与侧壁钝化决定刻得多深，克努森传输与黏附系数决定填得多满——深沟槽隔离、DRAM 电容与 3D NAND 的共同地基。