技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
工艺集成2026年3月15日5 分钟阅读
HKMG 集成：为何金属栅后置不等于高-k 后置
在真实顺序中区分高-k 形成与最终金属替换。
离子注入2026年3月15日6 分钟阅读
离子注入：物理原理、工艺集成和跨技术节点的演变
什么是离子注入及其为什么重要？ 离子注入是将受控数量的掺杂原子导入半导体衬底的主要技术。离子注入结合了离子分离、加速和剂量测量，从而将精确数量的掺杂原子引入半导体衬底中 T1。
材料2026年3月15日5 分钟阅读
低介电常数材料：原理、材料和先进工艺节点中的集成
介绍 随着集成电路向更小的工艺节点微缩，后段工艺(BEOL)互连系统的性能已成为制约整体芯片响应速度的关键瓶颈。传统上，二氧化硅(SiO₂)被广泛用作分离铜或铝金属导线的层间介质(ILD)。
热处理2026年3月15日6 分钟阅读
快速热退火：激活与扩散的权衡
快速热退火可能激活掺杂剂并改变损伤，也可能造成再分布。结合实测结果理解权衡，再到公开Flow中定位相关热处理职责。
上一页31 / 31