技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
半导体制造中的氮化钽 (TaN)：物理特性、工艺与应用
TaN 可在铜与周围介质之间形成阻挡边界，但连续性和薄膜结构决定效果。了解其 M1 职责及不同的栅叠层用途。
半导体制造中的热扩散：原理、物理机制与工艺演进
在半导体制造领域，热扩散是一种基础工艺，用于控制原子、离子和点缺陷在高温影响下的固态晶格内移动。从历史上看，该工艺是将掺杂原子引入硅衬底以形成 p-n 结的主要方法，从而确定分立器件和集成电路的电气特性。
阈值电压注入：半导体制造中的物理机制、机理与工艺演进
在现代集成电路制造中，精确控制晶体管的开关特性对于芯片的整体性能、功耗和可靠性至关重要。这种控制的核心在于阈值电压注入（Threshold Voltage…
阈值电压（Vth）：晶体管靠什么设定开启门槛
阈值电压（Vth）是晶体管开启的栅压——速度与漏电的总旋钮。产线用三根杠杆设定它：阈值调整注入、高 k 栅堆叠与功函数金属。
氮化钛 (TiN)：物理原理、工艺集成与先进半导体应用
氮化钛 (TiN) 是一种用途极其广泛的过渡金属氮化物，已成为现代半导体制造中的基石材料。TiN 在本体状态下以其独特的金色光泽而闻名，属于一类难熔化合物，具有卓越的机械硬度、高熔点以及出色的热稳定性和化学稳定性。
湿法刻蚀：选择比、侧蚀与晶向各向异性
湿法刻蚀在液体中去除材料；选择比和侧蚀取决于化学体系与膜栈，单晶硅还可能表现晶向各向异性。
干法刻蚀：原理、物理学及其在先进半导体制造中的作用
介绍 干法刻蚀是现代半导体制造中最关键的图形转移技术之一。与依靠液体化学溶液溶解材料的湿法刻蚀不同，干法刻蚀使用气相物种——最常见的形式是等离子体——从衬底表面去除材料。
铜双大马士革：沟槽、通孔、填充与 CMP 的交接
铜双镶嵌先在介质中形成水平沟槽与向下连接的通孔，再把两者纳入同一轮金属填充和 CMP。这里的“双”指线与孔共同组织在一个金属化周期中，不是刻蚀两次，也不是两层金属同时长出来。
原子层沉积（ALD）：靠自限制反应一层一层长膜
原子层沉积（ALD）靠顺序脉冲与自限制表面反应逐原子层成膜：厚度只由循环数决定，深沟槽与三维结构内每个表面拿到同一厚度——纳米器件的基石工艺。
化学机械平坦化：原理、机制与先进节点集成
CMP 结合化学与机械接触降低形貌差；去除与缺陷取决于抛光垫、浆料、材料和图形密度。
极紫外光刻：原理、物理学与亚5nm半导体制造之路
介绍：什么是极紫外光刻及其为何重要？ 在追求更小、更快、更能效的半导体器件的不懈努力中，光刻一直是进步的节拍器。
鳍式场效应晶体管（FinFET）：物理学、工艺原理和技术演进
鳍式场效应晶体管（FinFET）是一种三维金属-氧化物-半导体场效应晶体管架构，其中导电沟道形成在从衬底表面突出的薄垂直硅鳍上，允许栅极电极绕过沟道的多个侧面。在场效应晶体管中，导电沟道由电场以电容方式进行控制 T2。