技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
预非晶化注入 (PAI)：物理原理、工艺集成与演进
简介 在半导体器件持续微缩的过程中，精确控制硅衬底内的掺杂分布对于实现目标电气性能至关重要。预非晶化注入（PAI）已成为现代半导体制造中的一项关键赋能技术。
半导体制造中毫秒级快速热退火的物理与原理
毫秒退火用短时热脉冲在掺杂激活与扩散预算间权衡；现有 7nm 路线未将退火工位标为毫秒工艺。
快速热处理：热预算与不同用途
快速热处理是一类受控加热操作。区分退火与氧化，结合完整热历程解读结果，再阅读现役流程中一个有明确边界的RTP步骤。
逆向阱工艺：原理、物理机制与先进半导体集成
简介 逆向阱（retrograde well）是一种特殊的半导体掺杂分布，其杂质浓度在硅表面处最低，并随深度增加而逐渐升高，在衬底深处达到峰值浓度。
浅沟槽隔离 (STI)：物理原理、工艺集成与节点演进
简介 浅沟槽隔离（STI）是一项基础的集成电路结构，用于防止相邻半导体器件之间产生非预期的漏电流。在不断提高器件封装密度和保持晶圆表面平坦度的推动下，浅沟槽隔离在现代集成电路制造中已完全取代了诸如硅局部氧化（LOCOS…
晶体管侧墙间隔层：形成与作用
晶体管侧墙间隔层如何形成、起什么作用？沿现役平面流程看沉积、定向刻蚀及后续源漏偏移。
半导体制造中的二氧化硅：物理、原理与演进
二氧化硅 (SiO2) 是互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术史上最重要的介电材料之一。硅相比于锗或砷化镓等其他半导体材料的历史统治地位，很大程度上归功于其能够轻易形成稳定且高质量原生热氧化层的独特能力。
先进半导体制造中硅锗（SiGe）的物理特性、集成与演进
简介 硅锗（SiGe）是一种由结晶硅和锗混合而成的多功能半导体合金。由于其能带隙可调，且具有将机械应力引入硅晶格的独特能力，它已成为现代集成电路中的基础材料系统。
半导体制造中的氮化硅：物理、工艺与集成
氮化硅 (SiN) 是现代半导体制造中最通用且无处不在的介电材料之一。作为一种电绝缘体，它发挥着多种作用，从钝化层和氧化掩膜到结构组件和光学波导，应用广泛。氮化硅的重要性源于其化学惰性、高机械硬度和阻隔性能。
理解源极与漏极：半导体制造中的物理、工艺集成与演进
MOSFET 的源极与漏极如何工作？沿现有 FinFET 的四个步骤理解延伸区、外延端子、电阻与应变。
半导体制造中的旋涂电介质 (SOD)：原理、物理机制与工艺集成
简介 在半导体制造对更高集成密度的不断追求中，高密度电子元件的可靠隔离至关重要。良好的电气隔离至关重要，这包括具备低介电常数等特性，以确保线间电容保持在较低水平 T1。
旋涂玻璃 (SOG)：物理原理、固化机制与工艺集成
导言 旋涂玻璃（SOG）是一种广泛用于半导体制造的液体涂布前驱体材料，用于形成类似二氧化硅或富碳薄膜。SOG 材料最初以液体前驱体的形式存在，通常包含溶解在溶剂体系中的有机硅氧烷、无机硅酸盐或芳香族聚合物。