技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
半导体制造中的离子沟道效应：物理机制、控制与器件影响
简介 离子沟道效应是半导体制造中的一种基本物理现象，即高能离子在单晶晶格的开放空间（即“沟道”）中穿行时会发生异常长距离的穿透。在离子注入工艺中，掺杂离子被加速注入半导体衬底以调节其电导率。
激光尖峰退火：物理原理、工艺集成与半导体制造中的演变
激光尖峰退火（LSA）是先进半导体制造中的一项关键热处理技术，旨在将极高温度在极短时间内施加于硅片表面。随着器件尺寸不断缩小，半导体行业面临着一个根本性的热力学矛盾：注入硅晶格的掺杂剂必须在高温下进行电激活，但同样的高…
轻掺杂漏极扩展区：原理、物理与工艺集成
简介 随着半导体器件几何尺寸的不断缩小，短沟道效应已成为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）微缩过程中的关键挑战。
轻掺杂漏极 (LDD)：物理原理、器件集成与技术演进
LDD 延伸区可分散漏侧电场，也带来串联电阻。40nm NMOS 的光刻与注入两步展示它在一个流程中的位置。
金属有机化学气相沉积：物理原理、机制与先进半导体制造
简介 金属有机化学气相沉积（MOCVD），也称为金属有机气相外延（OMVPE），是现代半导体制造中广泛应用的一种专用气相沉积技术。
先进半导体制造：中段工艺（MOL）集成的物理与原理
中段工艺（MOL）是现代半导体制造中连接前段工艺（FEOL）有源晶体管器件与后段工艺宏观布线网络的关键集成模块。
毫秒级闪光退火：物理原理及其在先进半导体制造中的作用
简介 在对半导体器件微缩的不懈追求中，掺杂剂的精确空间控制已成为前段工艺（FEOL）制造中最关键的挑战之一。毫秒级闪光退火（Millisecond anneal flash），通常简称为毫秒退火（msec…
40nm 工艺流程中的光刻与图形转移
光刻通过曝光和显影形成胶图形，以引导后续图形转移；步骤次数随芯片流程变化。
半导体制造中的光刻胶：原理、物理学与工艺演进
简介 光刻胶（PR）是一种感光聚合物材料，构成了现代半导体制造中图形定义的基础。它是图形转移的主要介质，在干法刻蚀或离子注入等关键下游工艺步骤中充当临时牺牲掩模。
物理气相沉积（PVD）：蒸发、溅射及适用边界
PVD 通过蒸发或溅射把材料从源送到晶圆；最终薄膜取决于输送、化学与表面条件。
Pocket Implant (Halo)：半导体制造中的物理机制、工艺集成与演进
随着金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的尺寸缩小至深亚微米范畴，工程师在维持对沟道的静电控制方面面临巨大挑战。
半导体制造中的预非晶化损伤：物理、机制与集成
预非晶化损伤是指在注入掺杂剂之前或注入期间，有意引入到晶体半导体晶格中的结构紊乱。在半导体制造中，通过离子注入将掺杂剂引入晶格时，往往会受到离子沟道效应（ion…