技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
等离子体增强氧化物（PEOX）：物理原理、化学机制与先进节点集成
在半导体制造中，二氧化硅（SiO2）是多层互连和器件层中的主要绝缘与钝化介质。传统上，高质量的 SiO2 薄膜主要通过高温热氧化生长获得。
共形二氧化硅硬掩模：物理原理、工艺集成与纳米级缩放
在过去几十年中，互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的缩小一直是推进现代集成电路发展的驱动力。随着特征尺寸持续缩小，光刻技术面临物理衍射极限。单层光刻胶已无法同时提供所需的高分辨率与抗刻蚀能力。
介电抗反射涂层（DARC）：原理、光学物理与先进集成
在现代半导体制造中，光刻是图形转移的核心手段，其定义的特征尺寸直接决定了器件的性能与集成密度。随着行业沿着摩尔定律演进，曝光波长已从 g 线和 i 线缩减至深紫外（DUV）体系（如 KrF 和 ArF…
理解先进半导体制造中的层间介质 (ILD)
简介 在现代超大规模集成（ULSI）器件中，集成电路的性能已不再仅仅由晶体管的有源开关速度决定。相反，用于在数百万个逻辑门之间传输电信号的后段工艺（BEOL）互连系统已成为主要性能瓶颈。
理解超低介电常数（Ultra Low-K）电介质：物理特性、集成与先进工艺节点挑战
在现代微电子技术中，集成电路的持续微缩将器件密度与性能需求推向了前所未有的高度。然而，随着晶体管开关速度的提升，集成电路的整体性能日益受到后段工艺（BEOL）互连系统的制约。
等效氧化层厚度（EOT）：把电学厚度和物理厚度分开看
EOT 是电容等效的理想 SiO₂ 厚度。单层公式用于多层栅堆叠时须按串联求和；EOT 本身不能证明低漏电。
半导体制造中的氮化硅：物理、工艺与集成
氮化硅 (SiN) 是现代半导体制造中最通用且无处不在的介电材料之一。作为一种电绝缘体，它发挥着多种作用，从钝化层和氧化掩膜到结构组件和光学波导，应用广泛。氮化硅的重要性源于其化学惰性、高机械硬度和阻隔性能。
半导体制造中的旋涂电介质 (SOD)：原理、物理机制与工艺集成
简介 在半导体制造对更高集成密度的不断追求中，高密度电子元件的可靠隔离至关重要。良好的电气隔离至关重要，这包括具备低介电常数等特性，以确保线间电容保持在较低水平 T1。
半导体制造中的氮化钽 (TaN)：物理特性、工艺与应用
TaN 可在铜与周围介质之间形成阻挡边界，但连续性和薄膜结构决定效果。了解其 M1 职责及不同的栅叠层用途。
氮化钛 (TiN)：物理原理、工艺集成与先进半导体应用
氮化钛 (TiN) 是一种用途极其广泛的过渡金属氮化物，已成为现代半导体制造中的基石材料。TiN 在本体状态下以其独特的金色光泽而闻名，属于一类难熔化合物，具有卓越的机械硬度、高熔点以及出色的热稳定性和化学稳定性。
低介电常数材料：原理、材料和先进工艺节点中的集成
介绍 随着集成电路向更小的工艺节点微缩，后段工艺(BEOL)互连系统的性能已成为制约整体芯片响应速度的关键瓶颈。传统上，二氧化硅(SiO₂)被广泛用作分离铜或铝金属导线的层间介质(ILD)。