技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
材料2026年3月29日5 分钟阅读
氮化钛 (TiN)：物理原理、工艺集成与先进半导体应用
引言 氮化钛 (TiN) 是一种用途极其广泛的过渡金属氮化物，已成为现代半导体制造中的基石材料 P2。TiN 在本体状态下以其独特的金色光泽而闻名，属于一类难熔化合物，具有卓越的机械硬度、高熔点以及出色的热稳定性和化学稳定性 P2。在超大规模集成电路 (VLSI) 中，TiN 主要用作扩散阻挡层、粘附层和导电电极 P1
材料2026年3月15日5 分钟阅读
低介电常数材料：原理、材料和先进工艺节点中的集成
介绍 随着集成电路不断向更小的工艺节点扩展，后段工艺(BEOL)互连系统的性能已成为最关键的瓶颈之一P1。传统上,二氧化硅(SiO₂)作为介质层(ILD)分离铜或铝金属线A1。然而,SiO₂的介电常数(k)约为3.9至4.5,随着布线间距的缩小,介质引入的寄生电阻-电容(RC)延迟和串扰噪声成为主要的性能限制因素P1。
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