技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
40nm BSI CMOS图像传感器Via 3光刻：集成原理与器件物理
在完整流程中的角色 在40nm背照式（BSI）CMOS图像传感器（CIS）的后段工序（BEOL）制造流程中，Via 3光刻（VIA 3 - Photo）步骤是一个关键的图形定义模块。
40nm背照式CMOS图像传感器四孔集成工艺流程：物理机制、集成逻辑与失效传播
在完整流程中的角色 40nm背照式（BSI）CMOS图像传感器的通孔四（via-four）集成工艺流程，在后段工艺（BEOL）互连序列中占据关键位置，位于第四层层间介质（ILD4）模块与后续第五金属层（MET5）模块之…
40nm BSI CMOS图像传感器Via-Five集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 40nm背面照度(BSI)CMOS图像传感器的第五通孔(V5)集成模块，在背面照度CMOS图像传感器的多层互连堆叠中占据关键位置。
7nm FinFET接触孔集成工艺流程：原理、机理与集成逻辑
在完整流程中的角色 7nm FinFET接触孔集成模块位于前段工艺（FEOL）晶体管形成与中段工艺（MOL）/后段工艺（BEOL）互连构建之间的关键界面。
7nm FinFET金属零层互连集成：工艺流原理、ESL沉积机理与模块依赖性
在整个流程中的角色 金属零层（M0）互连模块位于7纳米FinFET工艺流中的一个关键连接点，它桥接了中段工艺（MOL）接触结构与第一个常规后段工艺（BEOL）金属层。
7纳米FinFET金属一层互连集成：工艺流程原理与ESL沉积机理
在完整流程中的作用 在7nm FinFET技术节点中，金属一层（M1）互连模块在工艺架构中占据关键地位：它是连接前段工艺（FEOL）晶体管结构与后段工艺（BEOL）互连堆叠的第一个金属布线层级。
7纳米FinFET金属十层互连集成：工艺流程原理、ESL化学与模块依赖关系
在完整流程中的角色 7nm FinFET技术平台代表了一个世代，其中极紫外（EUV）光刻被全面应用于中段工艺（MOL）接触孔和最小间距金属/通孔互连，与前代节点相比，从根本上收紧了关键尺寸（CD）分布并减少了掩模层数量。
7nm FinFET金属第十一层互连集成：工艺流程原理、ESL化学与模块依赖关系
在完整流程中的角色 金属十一（M11）互连模块在7nm FinFET技术平台的上层后段工艺（BEOL）堆叠中占据着关键位置。
7nm FinFET 顶层金属互连集成：M12模块工艺流程原理及ESL化学
在完整流程中的角色 7nm FinFET 顶层金属互连集成代表了后段工艺（BEOL）布线堆栈的收官之作，其中顶层金属——指定为 M12——连接密集的下层信号布线至焊盘和封装接口。
7纳米FinFET金属第二层互连集成：工艺流程原理与ESL沉积力学
完整流程中的角色 在7nm FinFET工艺流中，金属二层（M2）互连模块占据后段工艺（BEOL）架构中的关键位置。
7nm FinFET M3互连集成：工艺流原理与ESL机制
在完整流程中的角色 在7nm FinFET技术平台中，金属三（M3）互连模块在后段工艺（BEOL）互连堆叠中占据枢纽位置。
7纳米FinFET中段互连集成：工艺流原理与模块依赖关系
在完整流程中的角色 在7纳米FinFET技术平台中，中级互连堆叠——通常涵盖金属层M4至M8——扮演着关键桥梁角色，连接着紧邻晶体管前端的间距紧凑的局部互连层与后段工艺（BEOL）中更宽、电阻更低的全局布线层级 。