技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
垂直互连通路（Via）：物理原理、集成逻辑与先进节点演进
通孔连接不同布线层。沿真实 Via 1 光刻与介质刻蚀步骤学习，再与更早的接触示例对照，避免把两者混同。
半导体制造中的退火技术：物理机制、原理与工艺演进
退火是一种基本的热处理工艺，用于改变半导体材料的物理、化学和电学性质。在集成电路制造中，需要精确的掺杂来调节硅的电导率并调整费米能级，从而决定器件的功能特性。然而，通过高能离子轰击引入掺杂剂会破坏主体晶格。
化学气相沉积：基础物理、机理及先进工艺集成
CVD 通过气相前驱体反应成膜；所链接的 40nm 沉积步骤说明薄膜位置，不能确定方法为 CVD。
深紫外（DUV）光刻：从曝光、显影到图形转移
深紫外（DUV，准分子激光）是光刻的主力曝光波段：更短波长按瑞利判据换更小关键尺寸——曝光写潜像、显影成掩模、刻蚀转图形，一条完整接力链。
氢氟酸刻蚀：对氧化硅的选择性及适用边界
在部分清洗中，HF 可比晶体硅更快去除二氧化硅；氧化剂及邻近材料会改变选择性，须按完整膜栈核验。
先进半导体制造中电感耦合等离子体（ICP）的物理机制与集成
简介 感应耦合等离子体（ICP）是现代半导体制造中的核心技术支柱，能够实现精确的图形转移和材料表面改性。随着器件几何尺寸的缩小和结构复杂性的提升，对方向性好、低损伤刻蚀以及可控沉积的需求，促使高密度等离子体源得到了广泛…
LPCVD 工艺集成：薄膜作用与热历史
解释沉积薄膜如何连接前序结构与后续工序。
等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)：物理学、机制及在先进制造中的集成
简介 等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 是一种多功能薄膜沉积技术，在现代半导体器件制造中得到了广泛应用。
半导体制造中的反应离子刻蚀：物理机制、原理与工艺演进
反应离子刻蚀（RIE）是半导体制造中广泛使用的一种核心干法刻蚀技术，用于将光刻图形转移到各种基板材料中。随着集成电路特征尺寸缩小至纳米尺度，传统的基于液体的材料去除方法——例如湿法刻蚀——因其本质上的各向同性而变得不再…
TMAH 是什么：无金属离子的显影液与硅刻蚀剂
氢氧化四甲铵（TMAH）是无金属阳离子的季铵强碱：光刻胶显影液、单晶硅各向异性刻蚀剂、CMP 后清洗的碱性组分——一个围绕高 pH 与零金属污染建立的化学平台。
半导体制造中的湿法清洗：物理、机制与集成
湿法清洗是半导体制造中的基础工艺，旨在去除晶圆表面的颗粒、金属、有机物和自然氧化层污染。在集成电路制造的高灵敏度环境中，即便是原子级的杂质或极微小的分子污染物，也可能严重降低器件性能、改变电学特性并损害整体良率。
先进半导体制造中功函数的物理机制、集成与演进
在先进半导体制造领域，功函数（Work Function, WF）的概念是晶体管设计和性能微缩的基石。从历史上看，早期的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）依靠重掺杂多晶硅作为栅电极，通过掺杂浓度调节费米能级以…