正在确认登录状态
SemiFlows
工艺流程
优势
定价
FAQ
关于
博客
EN
/
中
首页
/
工艺流程
/
7nm
7nm 工艺流程
FinFET
前沿制程节点，采用先进 FinFET 架构与多重图案化技术。探索自对准接触、先进互连与封装技术。
7nm FinFET
714 步骤
步骤索引
晶圆准备 ·
Starting Wafer
浅槽隔离 (STI) ·
Pad Oxidation Pre Clean
浅槽隔离 (STI) ·
Pad Oxide Growth
浅槽隔离 (STI) ·
SiN Hardmask Deposition
浅槽隔离 (STI) ·
Transfer Oxide Deposition
查看完整流程 →
节点知识地图
7nm 工艺集成文章
从节点总览进入各模块的原理与集成逻辑；每篇文章都回到对应的真实 Flow Step。
节点总览
7nm FinFET工艺流：集成原理、器件物理与模块依赖性
01
WFR
7nm FinFET 起始晶圆与衬底制备：集成原理、器件物理与工艺流
02
STI
7纳米FinFET垫氧化预清洗：集成原理与表面物理
95
GATE
7nm FinFET厚栅氧生长工艺流程：物理机制、集成逻辑与器件物理
119
SD
7nm FinFET源漏集成：工艺流程原理、器件物理与模块依赖性
155
POP
7nm FinFET 虚拟多晶硅开孔与平坦化工艺流程：集成原理、物理机制与模块依赖关系
182
RMG
7nm FinFET替代金属栅极集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
223
CON
7nm FinFET接触孔集成工艺流程：原理、机理与集成逻辑
335
VC
7纳米FinFET接触孔集成工艺流程：原理、机制与模块依赖关系
382
M0
7nm FinFET金属零层互连集成：工艺流原理、ESL沉积机理与模块依赖性
449
M1
7纳米FinFET金属一层互连集成：工艺流程原理与ESL沉积机理
539
M2
7纳米FinFET金属第二层互连集成：工艺流程原理与ESL沉积力学
590
M3
7nm FinFET M3互连集成：工艺流原理与ESL机制
629
M4_M8
7纳米FinFET中段互连集成：工艺流原理与模块依赖关系
652
M9
7nm FinFET M9（第九层金属）互连集成：ESL化学、大马士革逻辑及模块依赖性
671
M10
7纳米FinFET金属十层互连集成：工艺流程原理、ESL化学与模块依赖关系
685
M11
7nm FinFET金属第十一层互连集成：工艺流程原理、ESL化学与模块依赖关系
699
M12
7nm FinFET 顶层金属互连集成：M12模块工艺流程原理及ESL化学