STI 氮化物硬掩膜接收垫氧化层，为后续复合掩膜和沟槽图形转移提供材料（工程实践）。
本步在 Pad Oxide Growth 后，随后依次为 Transfer Oxide Deposition 和 Stop Nitride Deposition。当前沉积层与后续另加的停止氮化物不能仅因材料名相同而视为同一层。
沉积建立连续的含 Si–N 网络，后续光刻和刻蚀才把横向图形逐层转移。沉积本身不定义最终开口或线宽。成膜反应、表面供料和局部形貌影响覆盖；膜的组成、氢含量、密度及应力又会影响后续加工响应，不能从 SiN 名称推断唯一沉积方法或完全相同的膜质。
刻蚀选择性描述两种材料在特定条件下的相对去除速率。反应产物的挥发性、表面钝化、离子作用以及膜的实际组成共同决定它。Si–N 键较强并不意味着 SiN 在所有刻蚀条件下都比硅或氧化物耐蚀；硬掩膜自身的图形化也需要能够去除 SiN 的步骤。
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