技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
14nm FinFET侧壁隔离层集成工艺流程：原理、机制与模块依赖关系
在完整工艺流程中的角色 在14nm FinFET工艺中，侧壁隔离层模块占据了栅极图形化与源/漏（S/D）外延生长之间的关键节点。
14nm FinFET浅沟槽隔离凹槽集成：工艺流程原理与机制深度解析
在完整工艺流程中的角色 在14nm FinFET技术节点，浅沟槽隔离（STI）凹槽模块在更广泛的14nm FinFET工艺流程图中占据着独特的关键位置。
14nm FinFET 浅沟槽隔离工艺流程：集成原理、物理机制与模块依赖关系
在整个流程中的角色 在这份 14nm FinFET 集成流程中，浅槽隔离（STI）模块建立电隔离相邻器件的主要介质边界。
14纳米FinFET起始晶圆与衬底制备：集成逻辑、物理与工艺基础
完整流程中的角色 14nm FinFET 的起始晶圆和衬底制备模块——通常称为 WFR（晶圆起始）模块——是整个 14nm FinFET 制造序列中的首个工艺模块。
28纳米平面有源区定义工艺流程：集成原理与物理机制
在整个流程中的角色 在28纳米平面CMOS工艺中，有源区定义模块位于前端工艺序列早期的基础位置。它接收裸硅衬底或经预处理的硅衬底——通常是在初始表面准备之后——并必须提供这样一个晶圆表面：其上用于晶体管形成的硅区域与用…
28nm 末端介质钝化与开口集成
末端模块的真实范围 在所链接的 28nm 平面流程中，末端介质模块用于准备并保护已完成互连制造的表面。它形成氧化物与氮化物介质堆栈，对开口进行图形化，去除处理残留，并完成表面处理和热调理。
28nm平面接触孔形成工艺流程：集成原理、机制与模块依赖关系
在完整流程中的角色 在 28nm 平面工艺流中，接触孔形成模块占据着关键位置：它连接了前段工艺的晶体管结构与后段工艺的金属互连堆叠。
28nm平面栅极堆叠集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 28nm平面栅极堆叠集成是整个 28nm平面工艺流 中最关键的模块之一，位于沟道静电工程与源漏形成之间。上游，该模块接收已完成浅槽隔离（STI）、阱形成、沟道注入和阈值电压调整注入的晶圆。
28nm平面阱与沟道注入集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在整个流程中的角色 28nm平面工艺的阱和沟道注入集成代表了前段工艺（FEOL）流程中的一个关键转折点。在此阶段，硅衬底已经完成了浅槽隔离（STI）的形成以及初始有源区的定义，从而建立了相邻器件区域之间的物理边界。
28nm平面金属一层互连集成：工艺流程原理与集成逻辑
在完整工艺流中的角色 在28nm平面工艺技术节点中，金属一层（M1）互连模块在后段工艺（BEOL）序列中占据着核心位置：它是首个通过硅化物源漏和栅极接触插塞直接与前段工艺（FEOL）器件结构相连的金属层。
28纳米平面金属二层互连集成：工艺流原理与机制深度解析
在完整流程中的角色 28nm平面工艺金属二层（M2）互连集成模块在28nm平面CMOS工艺的后段工艺（BEOL）序列中占据关键位置。
28纳米平面工艺上层金属互连集成：工艺流程原理与集成逻辑
在完整流程中的作用 28nm平面工艺上层金属互连集成代表了后段工艺（BEOL）堆叠中的一个关键过渡区域，在此处互连层级结构从紧密间距的下层金属信号布线逐步过渡到更宽、更厚的、专为电源分配和全局信号传输而设计的上层金属层。