技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
28nm平面中段工艺集成：工艺流程原理与应变工程机制
在完整流程中的角色 28nm平面逻辑流程中的中段工艺（MOL）模块位于前段工艺（FEOL）晶体管制造与后段工艺（BEOL）互连构建之间的关键衔接点。
28nm平面工艺流：集成逻辑、器件物理与模块关联
工艺流程图与范围 28纳米平面工艺代表了业界在转向三维鳍式结构之前，基于经典平面金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）架构构建的最后一代主要技术节点。
28nm平面置换金属栅极集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在整个流程中的作用 28nm平面替换金属栅极（RMG）集成是一个关键模块，位于前段工艺（FEOL）晶体管制造与后段工艺（BEOL）互连构建之间。
28nm平面再分布通孔与铝焊盘集成：工艺流程原理与集成逻辑
在整个流程中的角色 28nm平面重布线通孔与铝焊盘集成模块位于后段工艺（BEOL）序列末端的关键位置。在此阶段，晶圆已完成了铜互连堆叠的制造——从第一层金属开始，经过28纳米平面上层金属互连集成工艺流程——该模块的核心…
28nm 平面器件源漏集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 28nm平面逻辑工艺中的源漏（SD）模块位于前段工艺（FEOL）序列的关键位置。它接收已经历过阱/沟道注入、扩展（轻掺杂漏极或LDD）注入以及第一次侧墙形成工艺的结构——这些步骤定义了沟道的静电框架…
28nm平面侧墙隔离层集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 侧墙间隔层模块位于28nm平面工艺的关键节点，桥接了栅极堆叠形成和源/漏工程。当该模块开始时，栅电极和栅介质已完成图形化，且轻掺杂漏极（LDD）注入已引入到栅极边缘附近的衬底中。
28nm平面浅沟槽隔离工艺流程：原理、集成逻辑与机制
在整个流程中的角色 28nm平面浅沟槽隔离（STI）模块是整个28纳米平面工艺流中最早的结构定义阶段之一。它接收已完成初始焊盘叠层制备的硅衬底（通常包括一层薄的热生长焊盘氧化层和一层沉积的氮化硅硬掩模层）。
28nm平面阱形成工艺流程：集成逻辑、器件物理与模块依赖关系
在完整流程中的作用 在28nm平面工艺流中，阱形成模块作为基础掺杂架构，后续所有晶体管、隔离和互连层均建立于此之上。在此模块开始前，晶圆已经历了28nm平面浅槽隔离工艺流，该流程定义了有源区之间的横向边界。
40nm BSI CMOS图像传感器背面钝化集成：工艺流程原理与器件物理
在完整流程中的角色 在40nm背照式CMOS图像传感器（BSI CIS）工艺流程中，背面钝化（BKPAS）模块位于晶圆背面减薄与背面光学元件形成之间的关键位置。
40nm BSI CMOS图像传感器感光与逻辑晶圆键合工艺流程：集成原理与物理机制
在完整流程中的角色 由于增强的像素级功能，CMOS图像传感器在市场应用中迅速普及，取代了此前由电荷耦合器件为主导的应用 T2。
40nm BSI CMOS图像传感器焊盘集成：工艺流原理与集成逻辑
在完整流程中的作用 在40nm背面照明（BSI）CMOS图像传感器中，焊盘集成模块位于后段工艺（BEOL）互连叠层的顶部，作为片上信号处理电路与外部世界之间的关键电气和机械桥梁。
40nm背照式CMOS图像传感器工艺流程：集成原理、器件物理及模块依赖关系
工艺流程地图与范围 40nm背照式（BSI）CMOS图像传感器代表了先进CMOS逻辑制造技术与专用光电器件工程学的融合。