技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
14nm FinFET 鳍切割集成工艺流程：原理、机理与模块依赖关系
在整个流程中的作用 14nm FinFET 鳍片切割模块在前段工艺（FEOL）序列中占据关键位置，介于鳍片图案化与浅槽隔离（STI）回蚀之间。
14nm FinFET鳍片图形化工艺流程：集成原理、物理机制与模块依赖性
完整流程中的角色 14nm FinFET鳍片图形化（fin patterning）模块是整个晶体管制造的架构基石。
14nm 硅鳍沟槽刻蚀与鳍回刻集成
这个模块实际改变什么 在所链接的 14nm FinFET 流程中，鳍回刻集成模块位于隔离形成之后、栅极模块之前。
14nm FinFET工艺流程：集成逻辑、器件物理与模块依赖关系
工艺流程图与范围 14nm FinFET 工艺流代表了半导体微缩进程中的一个决定性时刻：大规模量产的第二代三维晶体管，其鳍片架构从初始形态演变为密度更高、静电控制能力更强的器件。
14纳米FinFET栅极堆叠集成工艺流程：原理、机制与模块依赖关系
在完整工艺流中的角色 14nm FinFET 代次的栅堆叠集成模块在14nm FinFET 整体工艺流程中占据着核心位置，介于前段（FEOL）结构成形与完成活性器件沟道的源/漏工程之间。
14nm FinFET 阱与沟道注入集成工艺流程：原理、机制与模块依赖性
在完整流程中的角色 阱和沟道注入集成模块在14nm FinFET工艺流程中处于一个关键节点，连接了鳍结构显露/隔离步骤与栅极堆栈构建。
14nm FinFET金属第一层互连集成：工艺流程、物理原理及模块依赖关系
在完整流程中的角色 在14nm FinFET技术中，金属一层（M1）互连模块充当晶体管级接触结构与多层后段工艺（BEOL）互连堆叠之间的关键桥梁。
14纳米FinFET金属第二层互连集成：工艺流程、物理机制与模块依赖性
在完整流程中的角色 在14nm FinFET逻辑工艺中，金属二层（M2）互连模块在后段工艺（BEOL）堆叠中占据关键地位。
14nm FinFET第二预金属介质集成：工艺流原理与机制
在完整流程中的角色 在14纳米FinFET技术平台中，第二层预金属介质（PMD2）模块在前段工艺（FEOL）器件形成和后段工艺（BEOL）互连构建之间占据着关键位置。
14nm FinFET替换金属栅极集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的作用 替换金属栅极（RMG）模块在14纳米FinFET工艺流程中占据关键位置，扮演着前段工艺（FEOL）晶体管形成与中段工艺（MOL）/后段工艺（BEOL）互连构建之间的桥梁角色。
14nm FinFET外延硅源漏集成工艺流程：原理、机制与集成逻辑
在完整流程中的角色 14nm FinFET 外延硅源漏（SD_ESI）模块在前段（FEOL）工艺流程中占据关键地位，位于栅极图形化和接触孔形成之间。
14nm FinFET嵌入式硅锗源漏集成：工艺流程原理与应变工程机制
在完整流程中的角色 在14纳米FinFET技术节点中，嵌入式硅锗（eSiGe）源漏模块是整个p型场效应晶体管（pFET）制造流程中性能最关键的集成序列之一。