技术博客
深入了解半导体制造工艺的物理原理与集成逻辑
化学机械抛光2026年3月15日5 分钟阅读
化学机械平坦化：原理、机制和先进工艺节点集成
介绍 化学机械平面化（CMP），也被广泛称为化学机械抛光，是一种混合材料去除工艺，它将受控的化学反应与机械研磨相结合，以在大基底直径上产生异常平坦、光滑的晶圆表面 P1。CMP首次由IBM开发，并于1986年应用于氧化物抛光，随后于1988年应用于钨抛光，此后已发展成为半导体行业可以说是最关键的平面化技术 P1。它能够
沉积2026年3月15日5 分钟阅读
原子层沉积：原理、机制及其在先进半导体制造中的作用
介绍 随着半导体器件缩放到仅由少数原子组成的尺寸，薄膜沉积技术面临的要求已变得异常严格 P3。原子层沉积(ALD)已成为现代半导体制造中最关键的使能技术之一，正是因为它在纳米尺度上提供了其他沉积技术无法匹配的厚度控制精度、共形性和成分精度 P1。P1 ALD是一种薄膜沉积技术，其中化学前驱体按顺序引入到衬底表面，在那里
器件���理2026年3月15日5 分钟阅读
鳍式场效应晶体管（FinFET）：物理学、工艺原理和技术演进
引言 鳍式场效应晶体管（FinFET）是一种三维金属-氧化物-半导体场效应晶体管架构，其中导电通道形成在从衬底表面突出的薄垂直硅鳍上，允许栅极绕过通道的多个侧面 T1。这种多栅极几何结构从根本上区别于FinFET和其平面前身：栅极不是通过单一顶表面栅极控制电流，而是对两个垂直侧壁施加静电影响，在许多实现中还包括鳍的顶表
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