28nm Planar Flow预览

M2 Cu CMP工艺的实施旨在平坦化M2铜电化学沉积过程中产生的多余铜，并将各个铜互连线隔离开来 [T1][T2][A1]。如果没有这一平坦化步骤，多余的铜覆盖层将在整个晶圆上形成连续的导电薄膜，导致大面积的器件短路 [T1][T2]。平坦化确保了M2线路的顶面与相邻的金属间介质层共面 [T2][A1]。这种平坦的形貌对于随后的T8M3 NDC沉积和M3光刻步骤至关重要，因为现代深紫外光刻工具要求在其狭窄的焦深范围内保持高度平坦的视场 [T1][T2]。