28nm Planar Flow预览

本 Flow 的 AA Etch 采用原位硬掩膜转移：由胶图形开始，依次经过上部转移层、有机硬掩膜、氮化硅与垫氧层，再进入硅衬底。原始课件的连续画面展示同一加工链的中间状态，不是多次独立沟槽加深操作。下一步 AA Dry Strip 才承担干法去除有机掩膜的职责。

图形转移与硅去除

不同薄膜的键合、表面反应和产物挥发行为不同，多层转移依靠各阶段的相对去除速率及剩余掩膜保护。对硅的等离子体刻蚀结合活性物种反应、离子辅助表面活化与产物脱附；离子方向性和侧壁保护共同影响轮廓，方向性本身不等于侧蚀为零。掩膜厚度损耗、局部输运和图形密度会影响开口保真度。

交给后续的状态

本步产物是刻出的硅沟槽及仍需去除的掩膜和残留物，尚未完成绝缘填充。沟槽形貌给后续衬垫形成和填充提供边界，但不能从刻蚀完成直接推断界面无缺陷、隔离合格或器件性能达标。干法去胶、晶圆边缘处理、后清洗和之后的隔离加工分别承接不同对象。（工程实践）