HARP 氧化物的应力状态同样是节点相关的重要问题，因为在有源区宽度缩小的情况下，STI 诱导的应力对载流子迁移率的调制作用更加显著，这要求沉积化学与沉积后退火之间进行精细协同 [P3]。
STI HARP 氧化物沉积步骤的目的，是用一层具有良好保形性的二氧化硅薄膜完全填充刻蚀形成的浅沟槽隔离结构，以在 28 nm 平面 CMOS 器件中实现相邻有源区的电学与机械隔离 [P4]。该步骤位于衬垫氧化和副产物升华之后进行，以确保硅沟槽侧壁在化学上洁净、形貌圆润，并由一层薄的界面氧化物加以保护，从而抑制界面态与应力集中，为后续 CVD 氧化物的稳定成核创造条件 [P2]。HARP 填充构成隔离介质的主体，其质量直接决定隔离完整性、向沟道传递的应力以及后续平坦化所面对的形貌条件 [P3]。该沉积必须有意过填沟槽体积，以保证完全的间隙填充，为填充后的清洗、用于致密化与应力稳定的热退火，以及最终在不暴露空洞的情况下完成 CMP 平坦化做好准备 [P1]。
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