AA Cap Oxide 沉积形成致密的无机层，在热处理过程中抑制下方非晶碳的放气 [P3]。
AA Cap Oxide 沉积步骤插入于无氮 DARC 与非晶碳堆栈形成之后，用于形成一层无机封帽层，在后续光刻与刻蚀过程中对下方有机薄膜提供机械与化学稳定性 [P1]。在 28 nm 平面 STI 相关的 AA 模块中，该封帽氧化层作为过渡层，将化学活性较强的碳基硬掩膜与后续的光刻胶和 BARC 层解耦，从而在光刻处理中抑制层间互混、放气以及图形形变 [P3]。将该氧化层布置在 BARC 沉积之前是有意为之，因为封帽氧化层提供了化学惰性且光学稳定的表面，可实现可预测的抗反射行为和均匀的光刻胶涂覆，这与多层 ARC 光刻堆栈中所展示的概念一致 [P2]。若缺少该封帽氧化层，下层薄膜中的氮或碳相关物种可能在涂胶后烘烤过程中与 BARC 或光刻胶发生相互作用，导致关键尺寸（CD）波动及底脚缺陷 [P3]。
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