AA Pad Nitride Deposition - 28nm 工艺步骤

28nm Planar Flow预览

1AA Pad Oxidation 2AA Pad Nitride Deposition 3AA Amorphous Carbon Deposition 4AA N-free DARC Deposition 5AA Cap Oxide Deposition

+2 步骤

工艺截面图

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本步要点

对均匀性和重复性的监控更多是通过晶圆翘曲、应力测试以及下游刻蚀性能来间接评估，而非电学指标，这反映了该薄膜的机械功能属性 [A1]。

原理展开

器件背景与集成逻辑

AA Pad Nitride Deposition 步骤在先前生长的垫氧化层之上形成一层具有机械强度高、耐化学腐蚀的氮化硅薄膜，构成复合垫层堆叠，这是 28 nm 平面工艺节点中浅沟槽隔离（STI）集成所必需的关键结构 [P2]。该垫氮化层在后续 STI 沟槽刻蚀过程中充当主要硬掩膜，确保有源区下方的硅衬底免受等离子体诱发损伤和非期望氧化的影响 [P2]。通过将该步骤紧接于垫氧化之后，工艺流程利用了薄垫氧化层的应力缓冲作用，使氮化物薄膜的本征应力与硅晶格解耦，从而在后续高温步骤中抑制缺陷产生和位错扩展 [P1]。所沉积的垫氮化层还定义了后续 AA Hardmask 及非晶碳沉积所需的表面形貌和刻蚀终止特性，这些步骤依赖氮化物的刻蚀选择性和机械完整性来保证图形保真度 [P2]。