28nm Planar Flow预览

器件背景与集成逻辑

Dummy Poly Dry Removal 步骤位于 CONTACT 模块中，处于 ILD0 HARP 沉积之后、Dummy Poly Wet Removal 之前，其目的在于在保持周围介质层和间隔层完整性的前提下，启动对牺牲栅体积的受控打开 [A1]。此前的 ILD0 沉积与 CMP 工艺会暴露出假多晶硅的顶部，但其侧向仍被氧化物所限制，使得单纯依赖湿法去除在动力学上受到限制，且在缺乏初始干法开口的情况下容易出现渗透不均的问题 [P1]。通过采用具有方向性的干法刻蚀对暴露的假多晶硅进行部分或完全去除，该步骤为后续湿法去除建立了可接近的反应前沿，确保替代栅空腔的连续性，并防止残留多晶硅遮挡湿法刻蚀剂而造成滞留 [P1]。因此，该步骤的存在直接决定了下游湿法刻蚀及金属栅填充的成功与否，而这些工艺对栅沟槽中残余硅极为敏感 [A1]。