金属栅 CMP 去除场区连续导电覆盖层，从而在保留槽内栅电极的同时建立后续薄膜与接触图形化所需的表面基准 (Engineering Practice)。
这条 28nm Flow 在早期栅模块中先形成高-k 介质和 TiN，再沉积非晶硅占位层；后续源漏加工和层间介质形成之后，移除虚拟硅并进行替换栅金属处理。因此，本流程的替换金属栅不能被解释为高-k 介质也必然在移除虚拟栅后才形成。
MG CMP 接收已完成金属处理和填充、但场区仍有导电覆盖层的表面。化学与机械去除共同清除槽外多余金属以及需要移除的导电衬层，保留介质限定的槽内栅电极。它控制栅顶相对于周围介质的高度与局部起伏；栅极的横向位置和侧壁边界主要由先前图形、侧墙及介质结构继承，不能说是 CMP 重新定义了沟道长度或栅侧壁。
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