28nm Planar Flow预览

器件背景与集成逻辑

在 28nm 平面 CMOS 工艺流程中的 CONTACT 模块内，CB Etch 步骤负责刻蚀穿透复合接触阻挡层堆栈以形成接触通孔，该堆栈通常由经 CB Photo 图形化的沉积氧化物和氮化物层组成，从而暴露下方的导电区域以实现后续电连接 [A2]。该步骤之所以位于工艺流程中的这一特定位置，是因为前序的氧化物和氮化物沉积既提供了形貌平坦化功能，又起到了刻蚀终止层的作用，而光刻图形则定义了接触孔相对于有源器件区域的横向位置 [A1]。通过选择性去除这些介电材料，CB Etch 建立了实现低电阻源/漏极及栅极接触所必需的垂直电接入路径，其质量直接影响串联电阻和器件整体驱动电流，这一点在 MOSFET 性能理论中已有阐述 [T1]。刻蚀后的接触开口必须足够洁净且轮廓清晰，以确保后续刻蚀后灰化（ashing）和湿法清洗能够有效去除聚合物残留和本征损伤，并在最终退火前稳定接触界面，这与缩放 MOSFET 接触形成的集成逻辑一致 [T1]。