SiGe 选择性外延在栅旁凹槽形成源漏体积，晶格失配通过几何与弹性边界参与沟道应变（工程实践）。
实际顺序为 SiGe 图形化、沟槽刻蚀与清洗、TMAH 湿刻、外延前清洗、本次沉积及随后清洗和硬掩膜去除。新增 SiGe 随后经历硬掩膜去除及侧墙加工，后续结构仍需保持与该源漏区域的衔接。
暴露的晶体硅为原子排列提供模板。表面反应、扩散、晶面生长差异与反应物输运共同决定新增体积；介质表面成核需要受到抑制，不能由“选择性”名称推断零寄生沉积或零缺陷。腔体与侧墙提供几何约束，电学结位置还取决于掺杂分布和后续演化。
若生长中引入掺杂剂，总掺入量与电学活性浓度仍是不同量。晶格占位、团簇和缺陷影响激活比例，后续热历史还可能改变分布。原位掺杂可以减少对某些注入操作的需求，但不证明当前 Flow 的后续注入或退火可以省去。
导电性同时受活性载流子浓度与迁移率影响，电阻还与几何有关；之后形成的金属／半导体接触另受界面和势垒输运约束。外延交付晶体材料与表面，不直接证明最终接触低阻或器件合格。
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