28nm Planar Flow预览

本步接收 CT Tungsten Fill 后的金属过填充，后续为 M1 NDC、低-k 介质与第一金属层图形化。CT 碳硬掩膜、DARC 和接触开孔属于更早的接触加工，不能倒置为本步之后的下一轮 CT 准备。

去除场区与保留接触

化学表面反应与磨粒机械作用共同去除暴露金属。清除连续场区导电层有助于让介质隔开不同接触，孔内保留金属继续提供纵向通路。材料选择性、接触压力、局部图形和产物移出共同影响去除，停止层不会使所有位置自动停止。

残留可留下桥连，凹陷与介质侵蚀会改变后续界面和几何裕量。平坦化目标不意味着全局数学平面或所有接触完全共面，也不证明孔内无空洞。

向互连交付

CMP 交付接触顶面及周围介质，为后续互连介质和图形化提供表面条件。它不能修复已经封闭的孔内缺陷，也不直接确定每个端子的接触电阻；后续连接还要结合衬层、界面和实际电连续性。