自对准接触钨 CMP 清除场区过填充，保留孔内通路，为 PMD 回刻及电阻模块准备表面（工程实践）。
本步在 Ti 硅化物前驱层、TiN 盖层与 SC Metal Fill Deposition 后，随后为 PMD Surface Recess 和金属电阻相关沉积。当前 CMP 保留既有开孔形成的连接位置；钨填充或 CMP 本身不重新完成自对准，也不能证明前驱层已完全成为目标硅化物相。
表面化学反应、溶解或钝化行为与机械接触共同影响金属去除。凸起和凹陷区域的接触与输运不同，为整平提供条件；材料选择性与局部图形仍使实际去除不均一。化学活性增强既可能促进去除，也可能加强钝化，不能推导普遍单调关系。
清除场区连续导电层后，周围介质才能隔开不同金属通路。衬层与填充金属的作用及暴露位置需分别追踪；停止材料的较低去除速率不意味着所有位置自动停下。CMP 改变的是可接触的上表面，不能把常规表面凹陷直接解释为接触孔底部被抛光。
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