此处伪栅硅刻蚀形成保留的栅图形，随后才进行厚氧化层处理和源漏相关加工，并非替换栅阶段的伪栅去除（工程实践）。
前序为栅切与掩膜转移、Gate CSOH Ash Clean，后序为 Thick Oxide Gate/Fin Etch、PHV SiN Liner 及注入相关加工。更晚的 POP Poly Partial Dry Etch 与 POP Poly Wet Etch 才属于另一段伪栅去除过程。因此本步不能描述为已经得到待填充最终金属的空栅槽，也不能让尚未形成的源漏或侧墙成为它的既有边界。
在等离子体辅助刻蚀中，活性物种与暴露材料反应，离子参与表面活化、反应层去除和产物脱附。朝向晶圆的离子通量主要作用于朝上的表面；侧壁上的反应与保护状态取决于化学、输运和局部几何。方向性并不等于侧向去除为零，也不能从材料名称推断无限选择性。不同层的反应与去除条件不同，掩膜保留和底层损耗需要分别考虑。
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