substrate - 14nm FinFET 14nm 工艺步骤

在体硅配置中，衬底需经过热氧化生长一层屏蔽氧化层，随后进行高能阱注入以定义 p-well 和 n-well [P1]。

衬底制备步骤是 14nm FinFET 集成工艺流程的初始基准阶段，为整个器件架构建立了物理、晶体学和电气基础 [T1][T2]。在 14nm 节点，起始衬底必须提供超净、无缺陷的单晶表面，以支撑后续的高深宽比鳍片图形化工艺 [P1][P2]。该步骤紧接在 Pad Oxide Growth、Pad Nitride Deposition 和 Stop Oxide Deposition 之前，这些工艺共同构成了各向异性硅刻蚀的硬掩膜和应力缓冲堆栈 [P1][P2]。对衬底掺杂、晶体质量和表面制备的精确控制直接影响成品 FinFET 的阈值电压稳定性、亚阈值摆幅和结漏电 [T1][T2]。