14nm FinFET预览

器件背景与集成逻辑

SiO₂ CMP 到 SiN 停止层步骤位于沟槽氧化物填充和 CMP 前氧化物沉积之后，其目的是在去除多余介电材料的同时，保留定义 STI 模块有源区的氮化硅垫层 [P3]。该步骤建立了一个全局平坦的表面，并相对于鳍顶形成明确定义的隔离高度，这对于后续硬掩膜沉积以及后续 STI 图形化步骤中的光刻对焦控制至关重要 [T1]。通过在氮化硅上停止抛光，该工艺可保护下方的硅衬底和鳍状结构免受机械和化学损伤，确保电隔离边界保持精确定义 [P1]。在此阶段氮化硅停止层的完整性直接决定了后续硬掩膜和 ARC 沉积的均匀性及缺陷敏感性，使该 CMP 步骤成为下游工艺中图形保真度的结构性前提 [P3]。