14nm FinFET预览

“停止氧化物沉积”（Stop Oxide Deposition）步骤作为一种关键的刻蚀停止层和保护层，位于底层的衬垫氮化硅（Pad Nitride）与后续用于鳍片图案化的非晶硅（a-Si）硬掩模层之间 [P1][P2]。在自对准双重图案化（SADP）等先进的多重图案化方案中，a-Si 层充当牺牲芯轴（mandrel），必须使用各向异性等离子体工艺对其进行选择性刻蚀 [P1][P2]。如果没有这层停止氧化物，用于刻蚀 a-Si 芯轴的卤素基化学气体将剧烈侵蚀并耗尽底层的衬垫氮化硅，导致最终鳍片结构的轮廓出现严重偏差 [P1]。因此，该步骤确保了高选择性的图案转移，维持了旨在保护下方有源硅衬底的衬垫氮化硅/衬垫氧化物叠层的完整性 [P1][T3]。