14nm FinFET预览

在前一步骤中生长的衬垫氧化层（pad oxide）充当了关键的应变与应力缓冲层，以防止由于氮化硅薄膜的高本征拉应力导致机械缺陷（如裂纹、位错或堆垛层错）扩展到下方的硅衬底中 [P1][P2][P5]。本步骤中沉积的衬垫氮化层（pad nitride）在 14nm FinFET 图形化工艺流程中发挥多种关键的集成功能 [P2][T2]（工程实践）。首先，它作为后续浅沟槽隔离（STI）硅刻蚀工艺的稳健硬掩模 [P2][T1]。其次，它作为一种氧化阻挡掩模，防止顶部有源硅区域在后续的高温热处理步骤中发生氧化 [T1]。第三，它在随后的 STI 化学机械平坦化（CMP）工艺中充当高选择性的抛光停止层，以保护有源硅沟道 [P3][T1]。此步骤完成后，工艺流程进入停止氧化层沉积（Stop Oxide Deposition）和非晶硅（a-Si）硬掩模沉积，为后续定义垂直鳍片的亚光刻图形化做好准备 [P2][T1]（工程实践）。