14nm FinFET预览

本步改变的是隔离面

本 Flow 的 Fin Recess Etch 回刻鳍片之间的 STI 氧化物，降低隔离表面，使先前形成的硅鳍露出更多侧壁。硅鳍本体已经存在；本步不是把鳍顶向下刻低，也不是为源漏外延挖硅凹槽。原始步骤图明确将去除目标标为氧化物，截面显示硅鳍保留而周围隔离面下降。

前序 Fin Trench Etch 已开始调整隔离面；本步继续建立鳍片相对隔离面的露出高度，之后还有独立的 SACOx Recess Etch 与栅相关处理。鳍片总高度、隔离面以上的露出高度和最终栅控周长是不同量，后续表面处理、介质形成和栅的覆盖范围还会影响有效沟道。

选择性去除与几何控制

氧化物去除依靠暴露表面与刻蚀介质的反应，以及反应物到达、产物离开表面的输运。选择性表示氧化物相对硅及其他暴露材料的去除速率差异，并不意味着硅绝对不受影响。原始结构只能确定去除目标和几何变化，不能据此指定唯一的湿法或等离子体方案。