14nm FinFET预览

本步接在 Si 空腔刻蚀、CSOH 剥离和人工氧化皮去除之后，后续为 Spacer3 沉积及回刻。对应原图标明 Si Epi，当前新增材料是 Si；已有 SiGe 区域来自前面的独立分支。

晶体生长与选择性

暴露的晶体硅为原子排列提供模板。表面反应、扩散、晶面生长差异与反应物输运共同决定新增体积；介质表面成核需要受到抑制，不能由“选择性”名称推断零寄生沉积或零缺陷。腔体与侧墙提供几何约束，电学结位置还取决于掺杂分布和后续演化。

掺入、激活与电学交付

若生长中引入掺杂剂，总掺入量与电学活性浓度仍是不同量。晶格占位、团簇和缺陷影响激活比例，后续热历史还可能改变分布。原位掺杂可以减少对某些注入操作的需求，但不证明当前 Flow 的后续注入或退火可以省去。

导电性同时受活性载流子浓度与迁移率影响，电阻还与几何有关；之后形成的金属／半导体接触另受界面和势垒输运约束。外延交付晶体材料与表面，不直接证明最终接触低阻或器件合格。