STI FCVD 在衬垫后的鳍间区域建立填充，后续氧化物沉积与 CMP 继续完成表面整平（工程实践）。
本步接收 STI Liner Deposition 后的沟槽表面，后续为 STI Pre-CMP Oxide Deposition 和 SiO2 CMP to SiN Stop。当前注册步骤没有逐项列出独立固化操作，不据此虚构一套固定固化顺序。
可流动 CVD 先形成能够重新分布的含硅材料。表面润湿、反应物输运、材料流动与交联速率共同决定填充形貌；流动有助于减轻共形侧壁生长过早封口的风险，但仍受开口形状、局部表面与固化进程约束，并非对几何不敏感。
沉积态材料与最终氧化物的组成、密度和力学性质可以不同。后续转化或致密化的作用取决于实际前驱体、气氛和热历史，不能仅凭 FCVD 名称指定所有键型、唯一固化方案或零残留状态。
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